佛山XBM4551赛芯内置MOS 两节锂保

    二级保护电路应用场景二级保护电路通常指的是在电子设备中用于防止电压过高或其他异常情况导致设备损坏的电路。以下是二级保护电路的一些常见应用场景：1.电力系统在电力系统中，过压保护电路是至关重要的。当电网中的电压突然增加时，过压保护电路可以保护发电机、变压器和其他关键设备免受过高电压的损害1。2.各种电子设备过压保护电路可以用于保护各种电子设备，如计算机、电话、电视和音频设备等，免受由于电压波动引起的损坏1。3.交通系统在交通系统中，过压保护电路可以保护号灯、电动汽车充电设备和其他交通设施免受供电电压突然升高的损害1。4.工业系统在工业系统中，过压保护电路可以在设备中使用，以保护关键部件和设备免受电压波动和过高电压的损害1。5.通信系统在通信系统中。 芯纳科技成立于2011年。专注代理电源芯片和电子元器件的销售服务。佛山XBM4551赛芯内置MOS 两节锂保

    快充充电管理SOC是一种高度集成的芯片，将多个功能模块集成在一个芯片上。面向小家电/电动工具，集成了同步开关电压变换器、快充协议控制器、电池充放电管理、电池电量计，I2C通信等功能模块。充电功率高：能达到100W充电功率。支持CC-CV切换：可根据充电过程的不同阶段自动切换充电模式。兼容多种主流快充协议：如、、AFC、、DCP等，能满足不同设备的快充需求。具备完备保护功能：提供输入过压/欠压、电池过充、过温、过流等保护，确保充电过程的安全可靠。小家电/电动工具应用领域：电动牙刷充电：电动牙刷通常需要定期充电，且使用频率较高。，提高使用便利性。例如，用户在早上发现电动牙刷电量不足时，利用其快充功能，能在短时间内完成充电，不影响正常使用。手持吸尘器充电：手持吸尘器在使用后电量消耗较大，。该SOC可以为手持吸尘器设计快充方案，使其充电时间大幅缩短，提高清洁效率。电钻充电：在建筑装修或家居维修场景中，电钻使用频繁，电量消耗快。DS3056B能满足电钻的快充需求，减少充电等待时间，提高工作效率。电锯充电：电锯在木材加工等行业应用，其工作强度大，电量消耗迅速。 苏州DS5136赛芯内置均衡 内置MOS 2节锂保XL1507、XL1509、XL2596、XL2576。

10 串锂电池保护芯片介绍,XBM7101集成均衡NTC/Sense保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要。过电流保护阈值调节：10串锂电池的保护芯片电路的过电流保护阈值由开关MOS管决定，如果觉得该阈值较小，可以将多个开关MOS管进行并联操作，以增大过流电流，将两节锂电池保护芯片电路和两节锂电池的充电电路连接在一起，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能

XBM3214 用于2串锂电池的保护芯片，芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路，支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能，具备25mV过充电检测精度，采用SOT23 - 6封装 锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点，在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言，过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常，影响电池使用寿命。因此，多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池，避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点2~3串锂电保护 多节锂电保护芯片(三元/磷酸铁锂)XBM2138/XBM32XX 推挽。

船运模式 XBM325 两串锂电池保护芯片介绍35W以内  2串锂保集成MOS  内置均衡  船运模式：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节：保护芯片功能基本保护功能：对两节节串联可再充电锂离子/锂聚合物电池的过充电、过放电和过电流进行保护，同时具备电池反接保护功能，这些功能对于锂电池的安全使用极其重要3。过电流保护阈值调节，可组成一个充放电工作的电路。若再加上锂电池输出电路，锂电池就可以实现边充边放的功能5串/NTC/MSOP10多节锂电保护产品——二级保护 XBM4530。天津XBM5254赛芯现货

高耐压理电保护产品、具有低功耗、高过流精度、小封装、无管压降等特点、支持4.2V~4.5V电芯平台；佛山XBM4551赛芯内置MOS 两节锂保

    PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联，实现几乎是直接翻倍的带载能力，降低内阻，提高效率，但布板清注意：①两个芯片尽量对称，直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地，减小布线内阻和加强散热。③，每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻，并且布的离VDD近些，尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些，也无需多粗，但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小，PCB板上，封装焊盘略大一些，避免虚焊。②，走线经过电阻后，先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND，使整个电容环路**小。④芯片的GND（B-）到VM建议预留一个C2（）电容位置，C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD，建议连接芯片的GND（B-）或者悬空。 佛山XBM4551赛芯内置MOS 两节锂保