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2023.03.04
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SDRAM模块SDRAM介绍:SDRAM是SynchronousDynamicRandomAccessMemory(同步动态随机存储器)的简称,是使用很的一种存储器,一般应用在200MHz以下,常用在33MHz、90MHz、100MHz、125MHz、133MHz等。其中同步是指时钟频率与SDRAM控制器如CPU前端其时钟频率与CPU前端总线的系统时钟频率相同,并且内部命令的发送和数据的传输都以它为准;动态是指存储阵列需要不断刷新来保证数据不丢失;随机是指数据不是线性一次存储,而是自由指定地址进行数据的读写。为了配合SDRAM控制芯片的总线位宽,必须配合适当数量的SDRAM芯片颗粒,如32位的CPU芯片,如果用位宽16bit的SDRAM芯片就需要2片,而位宽8bit的SDRAM芯片则就需要4片。是某厂家的SDRAM芯片封装示意图,图中列出了16bit、8bit、4bit不同位宽的信号网络管脚分配情况以及信号网络说明。SDRAM 的PCB布局布线要求是什么?随州PCB设计销售电话
DDR模块,DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM,中文名为“双倍数据率SDRAM”,是在SDRAM的基础上改进而来,人们习惯称为DDR,DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的数据传输速率,它允许在时钟的上升沿和下降沿读取数据,因而其速度是标准SDRAM的两倍。(1)DDRSDRAM管脚功能说明:图6-1-5-1为512MDDR(8M×16bit×4Bank)的66-pinTSOP封装图和各引脚及功能简述1、CK/CK#是DDR的全局时钟,DDR的所有命令信号,地址信号都是以CK/CK#为时序参考的。2、CKE为时钟使能信号,与SDRAM不同的是,在进行读写操作时CKE要保持为高电平,当CKE由高电平变为低电平时,器件进入断电模式(所有BANK都没有时)或自刷新模式(部分BANK时),当CKE由低电平变为高电平时,器件从断电模式或自刷新模式中退出。3、CS#为片选信号,低电平有效。当CS#为高时器件内部的命令解码将不工作。同时,CS#也是命令信号的一部分。4、RAS#、CAS#、WE#分别为行选择、列选择、写使能信号,低电平有效。这三个信号与CS#一起组成了DDR的命令信号。湖北高效PCB设计PCB设计布局以及整体思路。
电源电路放置优先处理开关电源模块布局,并按器件资料要求设计。RLC放置(1)滤波电容放置滤波电容靠近管脚摆放(BGA、SOP、QFP等封装的滤波电容放置),多与BGA电源或地的两个管脚共用同一过孔。BGA封装下放置滤波电容:BGA封装过孔密集很难把所有滤波电容靠近管脚放置,优先把电源、地进行合并,且合并的管脚不能超过2个,充分利用空管脚,腾出空间,放置多的电容,可参考以下放置思路。1、1.0MM间距的BGA,滤波电容可换成圆焊盘或者8角焊盘:0402封装的电容直接放在孔与孔之间;0603封装的电容可以放在十字通道的中间;大于等于0805封装的电容放在BGA四周。2、大于1.0间距的BGA,0402滤波电容用常规的方焊盘即可,放置要求同1.0间距BGA。3、小于1.0间距的BGA,0402滤波电容只能放置在十字通道,无法靠近管脚,其它电容放置在BGA周围。储能电容封装较大,放在芯片周围,兼顾各电源管脚。
SDRAM时钟源同步和外同步1、源同步:是指时钟与数据同时在两个芯片之间间传输,不需要外部时钟源来给SDRAM提供时钟,CLK由SDRAM控制芯片(如CPU)输出,数据总线、地址总线、控制总线信号由CLK来触发和锁存,CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号满足一定的时序匹配关系才能保证SDRAM正常工作,即CLK必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。2、外同步:由外部时钟给系统提供参考时钟,数据从发送到接收需要两个时钟,一个锁存发送数据,一个锁存接收数据,在一个时钟周期内完成,对于SDRAM及其控制芯片,参考时钟CLK1、CLK2由外部时钟驱动产生,此时CLK1、CLK2到达SDRAM及其控制芯片的延时必须满足数据总线、地址总线及控制总线信号的时序匹配要求,即CLK1、CLK2必须与数据总线、地址总线、控制总线信号在PCB上满足一定的传输线长度匹配。如图6-1-4-3所示。整板布线的工艺技巧和规则。
电源模块摆放电源模块要远离易受干扰的电路,如ADC、DAC、RF、时钟等电路模块,发热量大的电源模块,需要拉大与其它电路的距离,与其他模块的器件保持3mm以上的距离。不同模块的用法电源,靠近模块摆放,负载为整板电源供电的模块优先摆放在总电源输入端。其它器件摆放(1)JTAG接口及外部接口芯片靠近板边摆放,便于插拔,客户有指定位置除外。(2)驱动电路靠近接口摆放。(3)测温电路靠近发热量大的电源模块或功耗比较高的芯片摆放,摆放时确定正反面。(4)光耦、继电器、隔离变压器、共模电感等隔离器件的输入输出模块分开摆放,隔离间距40Mil以上。(5)热敏感元件(电解电容、晶振)远离大功率的功能模块、散热器,风道末端,器件丝印边沿距离>400Mil。如何设计PCB布线规则?黄冈打造PCB设计布局
PCB设置中PCI-E板卡设计要求是什么?随州PCB设计销售电话
DDR与SDRAM信号的不同之处,1、DDR的数据信号与地址\控制信号是参考不同的时钟信号,数据信号参考DQS选通信号,地址\控制信号参考CK\CK#差分时钟信号;而SDRAM信号的数据、地址、控制信号是参考同一个时钟信号。2、数据信号参考的时钟信号即DQS信号是上升沿和下降沿都有效,即DQS信号的上升沿和下降沿都可以触发和锁存数据,而SDRAM的时钟信号只有在上升沿有效,相对而言DDR的数据速率翻倍。3、DDR的数据信号通常分成几组,如每8位数据信号加一位选通信号DQS组成一组,同一组的数据信号参考相同组里的选通信号。4、为DDRSDRAM接口同步工作示意图,数据信号与选通信号分成多组,同组内的数据信号参考同组内的选通信号;地址、控制信号参考CK\CK#差分时钟信号。随州PCB设计销售电话
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