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关于半导体工艺这点你要知道（4）蚀刻工艺

大家好！这次是第4道工序！是蚀刻（Etching）工序，我们一起学习吧~

蚀刻（Etching）工序?.

还记得之前第3课光刻（PhotoLithography）工程中“照相~”的表达吗？在这个蚀刻(Etching)过程中，我们将消除底图中不必要的部分，即只保留电路图案中必要的部分，而将不必要的部分削掉。更详细地说，如果在光刻“PhotoLithography”工序中形成了光刻胶“PhotoResist”，那么在蚀刻工序中，就是使用液体或气体（etchant）进行腐蚀，消除多余部分的工作。（其中etchant是进行腐蚀的物质的统称）这种蚀刻技术是制作铜版画的美术中经常使用的方法。19世纪画家皮萨罗（CamillePissaro）和德加（EdgarDegas）也利用蚀刻制作了很多精致细致的线。 市面上导电胶分多种，而其中专业内存存储测试这块的，就是导电胶测试垫片。苏州221FBGA-0.5P导电胶

那么，让我们进一步了解干式蚀刻吧。

干式蚀刻通常也称为等离子体（Plasma）蚀刻。等离子体？这个术语听起来好像在哪里听过很多次，但听起来有点生疏。等离子体是物质的第四状态，它超越了固体、液体和气态。在真空柜（chamber)中注入Gas，然后提供电能，产生这种名为“等离子体”的状态。

在等离子体状态下，有大量的自由电子、离子、中性原子或电离的气体分子，其中重要的是电离的链式反应（Avalanche）。

首先，向“柜”（Chamber）提供电能会产生磁场，这些磁场会影响自由电子。高能量自由电子会碰撞周围的中性原子或分子，然后产生的自由基因会碰撞其他中性原子或分子，产生一系列电离反应，产生等离子体状态。

从等离子体状态中分离出来的反应性原子（RadicalAtom）与晶片表面的原子相遇，产生强烈的挥发性并与表面分离。在这个过程中，没有光刻液（PhotoResist)保护的膜被去除。这就是干式蚀刻。 长沙革恩半导体导电胶深圳市革恩半导体有限公司为专业从事存储器件测试解决方案公司。

关于半导体工艺这点你要知道(3)光刻技术(PhotoLithography)工艺

3. 光刻工艺流程光刻工艺过程包括Surface Preparation->Spin Coating->Soft Baking->Alignment&Exposure->Post-expose Baking->Develop->Rinse-dry->Hard Baking。这么一看，是不是完全看不懂是什么意思？所以为了便于说明，把这整个工艺变成了上面描述的PR过程，曝光，在晶片上印电路图的Develop过程。所以我们可以把它分成三个主要的过程。

1) 曝光Exposure

2) 显影Develop

关于半导体工艺这点你要知道（7）金属化（metallization）工艺

金属薄膜形成过程

如果准备好了符合条件的金属，那么现在应该正式开始金属工序了吧？让我们稍微了解一下作为单层材料常用的铝（Al）和铜（Cu）的工艺。

铝的电阻低，与氧化膜（SiO2）的粘合性好，比较适合金属化工艺的材料。但是当它遇到硅时易混合在一起，所以你必须在连接面之间加入一种叫做屏障金属（Barrier metal）以防止它变质。金属布线过程也是通过沉积完成的，对于铝来说主要是通过溅射法（Sputtering）沉积。

铜比铝和钨的非纯电阻低，可以对具有相同电阻值的金属丝进行更细小的图案制作，因此被使用。

测试种类一般电性测试和Burn- in测试。在这种测试中物理连接半导体传送电性信号作用的叫Probe pin。

关于半导体工艺这点你要知道 (5)扩散(Diffusion) 工艺

4、扩散工艺中的两个重要条件

1) Constant Source Diffusion恒定源扩散

2) Limited Source Diffusion有限源扩散

***.这意味着过程中的dose量必须是恒定的。如果你在硅晶格中doping了太多的杂质，就失去了使用硅的意义，对吧？

5、扩散的两个STEP扩散分两个step进行：前述CSD主要从硅薄层表面膜中加入杂质时开始应用。

指此为预淀积步骤(pre-depositionstep)。

第二步是（***）drive-in,这意味着你要从硅表面做多深的dose***我们来了解一下这个pre-deposition->drive-in的扩散过程。

生产一个半导体需要很多工艺，我们一起期待下一章。 基于MTK平台开发LPDDR、EMMC、UFS测试仪器，并可根据客户需求进行因件及软件调试。温州DDR测试导电胶

革恩半导体导电胶测试座是：异方性导电胶测试座 而探针的就是探针测试座。苏州221FBGA-0.5P导电胶

关于半导体工艺（一）晶片工艺，这点你要知道：

2、晶片制造工艺

1）铸锭(Ingot)硅是从沙子中提取的。要将其用作半导体材料，必须经过精炼。是提高纯度的过程。将高纯度提纯的硅（Si）溶液放入铸件中旋转，就形成了硅柱。我们称之为铸锭。可利用硅晶体生长技术Czochralski法或FloatingZone法等获得该锭。处理数纳米(nm)微细工艺的半导体用铸锭，在硅铸锭中也使用超高纯度的铸锭。

2）切割铸锭（WaferSlicing）去除铸锭末端，用金刚石锯切割成厚度均匀的薄片（Wafer）。晶片的直径决定了晶片的大小。在可以使用的程度上切割得越薄，制造费用就越低，所以**近切割得越来越薄。直径的大小也变大是大势所趋。这也是因为面积越大，制造的半导体芯片就越多。

3）磨削晶片表面（Lapping,Polishing）通过1）,2）过程制成的晶片表面非常粗糙,有很多凹凸不平的瑕疵,因此在实际半导体工程中很难使用。因此,需要对表面进行研磨,使其光滑。通过研磨液和研磨设备将晶片表面磨得光滑。 苏州221FBGA-0.5P导电胶

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