半导体回路形成用光源紫外线灯

光刻机的主要性能指标有：支持基片的尺寸范围，分辨率、对准精度、曝光方式、光源波长、光强均匀性、生产效率等。分辨率是对光刻工艺加工可以达到的纳米级细线条精度的一种描述方式。光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以与光源、光刻系统、光刻胶和工艺等各方面的限制。对准精度是在多层曝光时层间图案的定位精度。曝光方式分为接触接近式、投影式和直写式。曝光光源波长分为紫外、深紫外和极紫外区域，光源有高压汞灯，准分子激光器等。i线步进式光刻机NSR2205i14E2,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率2.5KW，型号：NLi-2510AHL2。半导体回路形成用光源紫外线灯

 紫外线固化杀菌 (1)杀菌原理： 通过紫外线杀菌就是通过紫外线的照射，破坏及改变微生物的 DNA(脱氧核糖核酸)结构，使细菌当即死亡或不能繁殖后代，达到杀菌的目的。紫外线杀菌的有效波长范围可分为四个不同的波段：UVA(400～315nm)、UVB(315～280nm)、UVC(280～200nm)和真空紫外线(200～100nm)，真正具有杀菌作用的是UVC紫外线，因为C波段紫外线很易被生物体的DNA吸收，尤以253.7nm左右的紫外线 。[1] uv固化原理 紫外线固化原理： 紫外线光(UV)固化是利用光引发剂(光敏剂)的感光性、在紫外线光照射下光引发形成激发生态分子，分解成自由基或是离子，使不饱和有机物进行聚合、接技、交联等化学反应达到固化的目的。 紫外灯的红外辐射的处理方法： 紫外线高压汞灯将60%的总功率转变为红外辐射，灯管表面温度可升到700-800℃。 405nm紫外线灯UV-SN42i线步进式光刻机NSR-SF140,用于半导体器件制造。使用ORC高压汞灯，功率7.5KW，型号：NLi-7500AL2D。

制造高精度的对准系统需要具有近乎完美的精密机械工艺，这也是国产光刻机望尘莫及的技术难点之一，许多美国德国品牌光刻机具有特殊的机械工艺设计。例如Mycro N&Q光刻机采用的全气动轴承设计专利技术，有效避免轴承机械摩擦所带来的工艺误差。对准系统另外一个技术难题就是对准显微镜。为了增强显微镜的视场，许多光刻机，采用了LED照明。对准系统共有两套，具备调焦功能。主要就是由双目双视场对准显微镜主体、目镜和物镜各1对（光刻机通常会提供不同放大倍率的目镜和物镜供用户组合使用）。CCD对准系统作用是将掩模和样片的对准标记放大并成像于监视器上。工件台顾名思义就是放工件的平台，光刻工艺主要的工件就是掩模和基片。

ORC制作所自1968年创业已来，立足于专门制造「光」，贡献于多个领域。用常年培育的技术力，满足客户需求，取得客户信赖。以光技术应用，先进的紫外线灯为支柱，面向电路板，液晶显示产业，半导体光刻设备，检查设备展开。

紫外线灯种类包含：超高压UV灯，高压UV灯，低压UV灯，金属卤化物灯，短弧灯等晶圆制造工程用UV照射装置・点灯用定电力／定照度电源，光照度计・光量计。

品质：1997年 6月7日 取得 ISO-9001认证(BVJC) 

环境：1998年12月4日 取得 ISO-14001认证(BVJC)  i线步进式光刻机NSR-2005i10用于半导体器件制造。使用ORC制作所高压汞灯，功率2KW，型号：NLi-2001AL。

特定の気体と金属蒸気の放電によって発光する電極間隔が1〜10ｍｍ程度のランプで、点灯中の圧力は100kPa以上です。リソグラフィ用UVランプとして高い評価と信頼をいただいています。ORCショートアークUVランプは高効率で紫外線を放射する点光源として、露光、乾燥、その他あらゆる産業、研究分野で利用されています。お客さまの御要望にお応えする幅広いラインナップを取りそろえており、共同開発などの課題解決のお役に立てます。高压汞灯紫外线光的分光分布。曝光工艺用紫外线灯功率5KW

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