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湖南DR成像平板探测器

关键词: 湖南DR成像平板探测器 平板探测器

2023.05.04

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1)使用X-Ray检查BGA焊性。X光机是利用X射线透过被检测物体后衰减,由射线接收/转换装置接收并转换成信号,通过半导体传感技术、计算机图像处理技术和信息处理技术,将检测图像直接显示在显示器屏幕上,用于金属或非金属器件的无损检测,它具有快速、准确、直观等特点。在电子产品中应用于:1)IC封装:芯片大小量测、芯片位置、空洞、导线架、打线、连接线路的开路、短路、不正常连接、陶瓷电容结构检验。2)PCB和PCBA:PCB内层走线、焊点孔洞、成型不良、桥连、立碑、焊料不足/过剩、组件吃锡面积比例、器件漏装、引腳弯曲/不共面、异物检查等。3)其它应用:机械结构、电池结构检验等。碘化铯将X线转换成可见光的能力比硫氧化钆强,但成本高。湖南DR成像平板探测器

噪声是非输入信号造成的输出信号。噪声的主要来源:探测器的电子噪声、射线图像量子噪声。信噪比:探测器获得图像信号平均值与图像信号标准偏差之比,用SNR表示。信噪比越高,图像质量越好。归一化信噪比:比较不同探测器的信噪比,必须在同样的探测器单元尺寸下进行。计算公式:SNRn=SNRm×88.6/P。SNRn归一化信噪比,SNRm测量信噪比,P探测器像素尺寸(um)。线性度:是探测器产生的信号在比较大剂量射线强度范围内与入射强度成正比的能力。稳定性:是随着工作时间的增加探测器处理信号产生一致性的能力,线性度和稳定性直接影响探测器精度。响应时间:是探测器从接收射线光子到获得稳定的探测器信号所需要的时间,它是影响采样的速率及数据质量的关键。 长沙乳腺平板探测器硒层对温度比较敏感,其环境的适用性不是很好。

灵敏度:探测器输出可检测信号时所需要的至少输入信号强度。非晶硅探测器的灵敏度由四个方面的因素决定:X射线吸收率,X射线-可见光转换系数,填充系数和光电二极管可见光-电子转换系数。通常用X射线灵敏度S表示。如可标注某探测器X射线灵敏度S为:S~1000e-/nGy/pelDN-5Beam。表示该探测器在标准DN-5X射线下每nGy在单个像素上产生的电荷数为1000个。由于X射线灵敏度S与线质有关通常同时给出线质标准如:DN-5Beam。探测器灵敏度精度越高越好,好的探测器灵敏度能达到1个光子。

动态范围是指探测器能够线性地探测出X射线入射剂量的变化,是比较低剂量与比较高剂量之比。动态范围大,密度分辨率高,是DR系统优于传统放射影像系统重要的特点,它可以得到更多的影像细节,检出能力高于传统影像。要正确表达探测器的动态范围,必须具有足够位数的深度。以往12位影像只能记录4096等级灰度,不能满足DR影像信号的完整记录。所以目前大多数DR系统采用16位,灰度可达到65536,可以反映很小密度的层次变化。灰阶差异越明显,对比度越大,分辨得就越清楚。 辐射剂量率系指单位时间内的照射剂量。

数字化X线探测器有多种分类。按照传感器阵列形状的不同,可分为平板探测器和线阵探测器。按照光子信号的转换方式的不同,可分为积分式探测器和单光子计数式探测器。此外,光学传感面板一般都由光电转化层和TFT阵列开关等寻址电路组成,按照这两部分的组成材料,可分为:非晶硅探测器、CMOS/单晶硅探测器、IGZO探测器、非晶硒探测器和CdTe/CZT(碲化镉/碲锌镉)探测器等。非晶硅、IGZO、CMOS和柔性基板四大传感器技术均有其特定的终端应用场景。非晶硅是目前主流的X线探测器传感器技术,具有大面积、工艺成熟稳定、普通放射的能谱范围响应好、材料稳定可靠、环境适应性好等特点,可同时满足静态和动态探测器的需求。 Binning劣势:降低输出图像解析力,只能输出单色图像。长沙静态平板探测器

使用硫氧化钆做涂层的探测器成像速度快,性能稳定,成本低。但是转换效率不如碘化铯涂层高。湖南DR成像平板探测器

CT是影像设备家族的一员,英文全称是Computed Tomography,中文名是计算机断层扫描。所谓“断层”,通俗来说是横截面。X射线就像是CT的这把隐形刀,射线穿过人体之后,由于人体不同结构的密度不同,对射线的衰减程度不同,使得穿过人体射线的强度出现了差异,借助探测器进行探测X射线信号,通过图像重建得到横断面的影像。从上述的描述中可以看出,在硬件组成方面,CT的主要部件也是X线球管和探测器,X线球管和探测器位于环形机架上。与DR不同的是,CT使用的不是平板探测器,而是弧形的线探测器(宽度较窄),之所以要用这种探测器,主要因为CT使用的射线束是扇形束(DR使用的是锥形束)。对于探测器的材质,主要分为固体探测器和气体探测器。 湖南DR成像平板探测器

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