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    以解决上述背景技术中提出的问题。为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：风电变流器的igbt驱动电路，包括原边电路、隔离电路和副边电路，所述原边电路包括死区电路、互锁电路、保护电路、15v电源输入滤波电路和dc/dc电路，所述隔离电路包括变压器隔离电路和光耦隔离电路，所述副边电路包括±15v驱动电源、驱动电路和vce-sat检测电路，vce-sat检测电路分别连接igbt模块、驱动电路和光耦隔离电路，光耦隔离电路还连接死区电路、互锁电路和保护电路，驱动电路还分别连接光耦隔离电路和igbt模块，vce-sat检测电路检测到igbt模块发生短路故障或过流故障时，通过光耦隔离电路传递故障信号给原边电路，原边电路同时***igbt模块上下管驱动信号，并通过光耦隔离电路和驱动电路关断igbt模块。作为本实用新型的进一步方案：所述igbt模块分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述死区电路、互锁电路、保护电路均分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述光耦隔离电路分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述驱动电路分为上下两路。作为本实用新型的进一步方案：所述光耦隔离电路包括反馈光耦和驱动光耦。辽宁国产模块其主要功能是实现能源的转换和控制，从而提高电力设备的效率和可靠性。

    本实用新型涉及半导体领域，具体涉及一种沟槽栅igbt。背景技术：igbt随着结构设计和工艺技术的升级，主流产品已经从平面栅极(如图1所示)升级成沟槽栅极(如图2所示)，现有技术中沟槽栅结构的制作方法如图3所示，先在半导体衬底上光刻出沟槽，接着在该沟槽内沉积**氧化层23(图3a所示)，然后去除该**氧化层23(图3b所示)，然后继续在沟槽内沉积***氧化层21(图3c所示)，接着沉积多晶硅层1(图3d所示)，接着去除表面多余的多晶硅层1(图3e所示)，沟槽栅结构虽然相比平面栅结构电流密度大幅度提升，但由于沟槽栅结构带来的结电容的大幅度上升，造成目前的沟槽栅igbt不能广泛应用于高频场景。技术实现要素：本实用新型为解决现有技术中沟槽栅igbt结电容较大的问题，提供了一种新的沟槽栅igbt结构。本实用新型采用的技术方案如下：一种沟槽栅igbt，包括：半导体衬底，所述半导体衬底表面内设置两个沟槽栅结构；两个沟槽栅结构，两个所述沟槽栅结构对称，沟槽内设置有多晶硅层和包围所述多晶硅层的氧化层，所述氧化层包括***氧化层和第二氧化层，所述***氧化层设置在沟道区，所述第二氧化层设置在非沟道区，所述第二氧化层的厚度大于所述***氧化层的厚度。进一步地。

    图5为本实用新型实施例提供的沟槽栅结构制作方法的流程图。图中：1为多晶硅层，2为氧化层，21为***氧化层，22为第二氧化层，23为**氧化层，3为光刻胶。具体实施方式下面将结合本实用新型实施例中的附图，对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例**是本实用新型一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本实用新型保护的范围。图4示出了本实施例提供的一种沟槽栅igbt示意图，包括半导体衬底和设置在半导体衬底表面内的两个沟槽栅结构，两个沟槽栅结构对称，沟槽栅结构设置有多晶硅层1和包围多晶硅层1的氧化层2，氧化层包括***氧化层21和第二氧化层22，***氧化层21设置在沟道区，第二氧化层22设置在非沟道区，第二氧化层22的厚度大于***氧化层21的厚度，与现有技术相比，本实施例提供的沟槽栅igbt氧化层2的厚度大于现有技术中的厚度，因此本实施例的结电容更小。需要说明的是，本实施例减小结电容的方式是通过增加沟槽内非沟道区第二氧化层22的厚度，***氧化层21厚度不变，因此本实施例在减小结电容的同时并不会造成器件整体性能变差。广泛应用于伺服电机、变频器、变频家电等领域。

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