揭阳IC测烧一体化

IC产品可靠性等级测试有哪几种？

1、TCT:高低温循环试验（TemperatureCyclingTest）

目的：评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。方法是通过循环流动的空气从高温到低温重复变化。

测试条件：

ConditionB：-55℃to125℃

ConditionC：-65℃to150℃

失效机制：电介质的断裂，导体和绝缘体的断裂，不同界面的分层

2、TST:高低温冲击试验（ThermalShockTest）

目的：评估IC产品中具有不同热膨胀系数的金属之间的界面的接触良率。

方法是通过循环流动的液体从高温到低温重复变化。

测试条件:

ConditionB：-55℃to125℃

ConditionC：-65℃to150℃

失效机制：电介质的断裂，材料的老化（如bondwires）,导体机械变形

3、HTST:高温储存试验（HighTemperatureStorageLifeTest）

目的：评估IC产品在实际使用之前在高温条件下保持几年不工作条件下的生命时间。

测试条件：150℃

失效机制：化学和扩散效应，Au-Al共金效应

4、可焊性试验（SolderabilityTest）

目的：评估ICleads在粘锡过程中的可靠度测试

方法：Step1：蒸汽老化8小时Step2：浸入245℃锡盆中5秒失效标准（FailureCriterion）：至少95％良率

芯片测试是通过对芯片进行电气特性测试、功能测试、时序测试等手段来评估芯片的性能和可靠性。揭阳IC测烧一体化

Flash又分NANDFlash和NORFlash，NOR型存储内容以编码为主，其功能多与运算相关；NAND型主要功能是存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。

（1）NorFlash：主要用来执行片上程序优点：具有很好的读写性能和随机访问性能，因此它先得到广泛的应用；缺点：单片容量较小且写入速度较慢，决定了其应用范围较窄。

（2）NANDFlash：主要用在大容量存储场合优点：高效的读写性能、较大的存储容量和性价比，因此在大容量存储领域得到了广泛的应用；缺点：不具备随机访问性能。 MCU IC测烧哪家合适OPS专业的芯片烧录、测试、包装转换、印字及Memory高低温老化测试设备服务。

为什么要进行IC测试？有哪些分类？

任何一块集成电路都是为完成一定的电特性功能而设计的单片模块，IC测试就是集成电路的测试，就是。如果存在无缺陷的产品的话，集成电路的测试也就不需要了。由于实际的制作过程所带来的以及材料本身或多或少都有的缺陷，因而无论怎样完美的产品都会产生不良的个体，因而测试也就成为集成电路制造中不可缺少的工程之一。

IC测试一般分为物理性外观测试（VisualInspectingTest），IC功能测试（FunctionalTest）,化学腐蚀开盖测试（De-Capsulation），可焊性测试（SolderbilityTest），直流参数（电性能）测试（ElectricalTest）,不损伤内部连线测试（X-Ray），放射线物质环保标准测试（Rohs）以及失效分析（FA）验证测试。

Nand Flash存储结构浅析

NandFlash是一种常见的闪存存储器，它的存储结构可以简单理解为一个二维的阵列，其中包含了多个存储单元。存储单元：

NandFlash的存储单元是一个非常小的电子组件，用于存储数据。每个存储单元通常由一个MOSFET（Metal-Oxide-SemiconductorField-EffectTransistor）和一个电荷储存单元（通常是浮栅）组成。当电荷储存单元中存在电荷时，表示存储单元为1，否则为0。

页（Page）：NandFlash的存储单元按照一定规则进行组织，形成了一个页（Page）。一个页通常包含多个存储单元，以及相关的控制电路。典型的页大小为2KB、4KB或8KB。

块（Block）：NandFlash的页按照一定规则组织成块（Block）。一个块通常包含多个页，以及相关的控制电路。典型的块大小为64KB或128KB。块是NandFlash的擦除单位，即要擦除一个块，需要将整个块的数据都擦除。

平面（Plane）：NandFlash的块按照一定规则组织成平面（Plane）。一个平面通常包含多个块，以及相关的控制电路。典型的平面数量为1或2。

芯片（Chip）：NandFlash的平面按照一定规则组织成芯片（Chip）。

NandFlash的存储结构可以简单理解为存储单元组成的页，页组成的块，块组成的平面，平面组成的芯片。 使用标准化的流程管控，以确认快捷的生产周期及品质。

烧录测试座保养:

每次使用完烧录座后，应清洁烧录座，保持烧录座表面干净无污不可使用腐蚀性之清洗剂，虽可获得短暂效果但会带来严重的损伤，缩短使用寿命。只可用静电毛刷，精密清洁剂进行清洁对烧录座金属弹片进行清扫清洁（不要使用酒精或润滑剂清洗表面污物）清洁完的烧录座比较好能放在防潮箱或干燥的保管箱存放烧录座长时间不使用时，合上盖子，用盒子装好，尽量存放在密封，干燥阴凉的地方，防止因存放环境而引起的氧化。再次使用时应先观察烧录座表面是否有污物或氧化（呈黑色）用精密清洁剂进行清洁后再使用。

烧录座的更换:

如果正确使用和妥善保管，烧录座的使用寿命就可以达到甚至超过超过参考标准。PS：烧录座是耗材，只有正确使用和妥善保养，才会延长使用寿命。 OPS拥有良好的作业环境，ISO管理模式，各种先进的烧录测试设备。衢州IC测烧厂家供应

芯片测试是指对芯片进行各种测试以确保其功能和性能符合设计要求。揭阳IC测烧一体化

DIP(DualIn－line Package)双列直插式封装称DIP或DIL(这是欧洲半导体制造商常用的名称)。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。

Cerdip——用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP-G(G即玻璃密封的意思)。

DIC——陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称DIL——DIP的别称，欧洲半导体厂家多用此名称。

SDIP——收缩型DIP。插装型封装之一，形状与DIP相同，但引脚中心距(1.778mm)小于DIP(2.54mm)，因而得此称呼。引脚数从14到90。也有称为SH-DIP的。材料有陶瓷和塑料两种。

SK-DIP——DIP的一种。指宽度为7.62mm、引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。通常统称为DIP。

SL-DIP——DIP的一种。指宽度为10.16mm，引脚中心距为2.54mm的窄体DIP。通常统称为DIP。 揭阳IC测烧一体化