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二极管温度补偿电路及故障处理众所周知，PN结导通后有一个约为0.6V（指硅材料PN结）的压降，同时PN结还有一个与温度相关的特性：PN结导通后的压降基本不变，但不是不变，PN结两端的压降随温度升高而略有下降，温度愈高其下降的量愈多，当然PN结两端电压下降量的值对于0.6V而言相当小，利用这一特性可以构成温度补偿电路。如图9-42所示是利用二极管温度特性构成的温度补偿电路。对于初学者来讲，看不懂电路中VT1等元器件构成的是一种放大器，这对分析这一电路工作原理不利。在电路分析中，熟悉VT1等元器件所构成的单元电路功能，对分析VD1工作原理有着积极意义。了解了单元电路的功能，一切电路分析就可以围绕它进行展开，做到有的放矢、事半功倍。重庆ESD二极管厂家就找成都长九电子科技有限公司。贵州车规二极管厂家直销

对电路中VD1和VD2作用分析的思路主要说明下列几点：（1）从电路中可以看出，VD1、VD2、VD3和VD4、VD5、VD6两组二极管的电路结构一样，这两组二极管在这一电路中所起的作用是相同的，所以只要分析其中一组二极管电路工作原理即可。（2）集成电路A1的①脚通过电阻R1与三极管VT1基极相连，显然R1是信号传输电阻，将①脚上输出信号通过R1加到VT1基极，由于在集成电路A1的①脚与三极管VT1基极之间没有隔直电容，根据这一电路结构可以判断：集成电路A1的①脚是输出信号引脚，而且输出直流和交流的复合信号。确定集成电路A1的①脚是信号输出引脚的目的是为了判断二极管VD1在电路中的具体作用。贵州车规二极管厂家直销云南汽车电子TVS二极管厂家就找成都长九电子科技有限公司。

反向击穿按机理分为齐纳击穿和雪崩击穿两种情况。在高掺杂浓度的情况下，因势垒区宽度很小，反向电压较大时，破坏了势垒区内共价键结构，使价电子脱离共价键束缚，产生电子-空穴对，致使电流急剧增大，这种击穿称为齐纳击穿。如果掺杂浓度较低，势垒区宽度较宽，不容易产生齐纳击穿。雪崩击穿另一种击穿为雪崩击穿。当反向电压增加到较大数值时，外加电场使电子漂移速度加快，从而与共价键中的价电子相碰撞，把价电子撞出共价键，产生新的电子-空穴对。新产生的电子-空穴被电场加速后又撞出其它价电子，载流子雪崩式地增加，致使电流急剧增加，这种击穿称为雪崩击穿。无论哪种击穿，若对其电流不加限制，都可能造成PN结长久性损坏。

需要了解的深层次电路工作原理分析这一电路工作原理需要了解下列两个深层次的电路原理。（1）VT1等构成一种放大器电路，对于放大器而言要求它的工作稳定性好，其中有一条就是温度高低变化时三极管的静态电流不能改变，即VT1基极电流不能随温度变化而改变，否则就是工作稳定性不好。了解放大器的这一温度特性，对理解VD1构成的温度补偿电路工作原理非常重要。（2）三极管VT1有一个与温度相关的不良特性，即温度升高时，三极管VT1基极电流会增大，温度愈高基极电流愈大，反之则小，显然三极管VT1的温度稳定性能不好。由此可知，放大器的温度稳定性能不良是由于三极管温度特性造成的。西藏工业级二极管厂家就找成都长九电子科技有限公司。

电路工作原理分析思路说明关于这一电路工作原理的分析思路主要说明下列几点：（1）如果没有VD1这一支路，从级录音放大器输出的录音信号全部加到第二级录音放大器中。但是，有了VD1这一支路之后，从级录音放大器输出的录音信号有可能会经过C1和导通的VD1流到地端，形成对录音信号的分流衰减。（2）电路分析的第二个关键是VD1这一支路对级录音放大器输出信号的对地分流衰减的具体情况。显然，支路中的电容C1是一只容量较大的电容（C1电路符号中标出极性，说明C1是电解电容，而电解电容的容量较大），所以C1对录音信号呈通路，说明这一支路中VD1是对录音信号进行分流衰减的关键元器件。重庆汽车电子TVS二极管厂家就找成都长九电子科技有限公司。半导体二极管现货经营

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在使用二极管时，应注意其与其他器件的匹配和配合，避免电路不匹配或者不兼容导致二极管损坏或者电路无法正常工作。在使用二极管时，应注意其使用场景和应用要求，选择合适的二极管型号和参数，以满足电路的需求和性能要求。在使用二极管时，应注意其使用方法和操作规范，遵循相关的安全和操作规程，确保二极管的安全和可靠性。在使用二极管时，应注意其维护和保养，定期检查和清洁二极管，避免灰尘和污垢影响二极管的正常工作。在使用二极管时，应注意其环保和可持续性，遵循相关的环保法规和标准，确保二极管的生产和使用对环境的影响小化。贵州车规二极管厂家直销