海南异质异构集成芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供Si基GaN微波毫米波器件与芯片技术开发服务，该芯片相对于Si LDMOS，具有工作频率高、功率大、体积小等优势；相对于传统SiC基GaN芯片，具备低成本、高密度集成、大尺寸等优势；适应于C、Ka、W等主流波段的攻放、开关、低噪放等芯片；南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化的Si基GaN射频器件和电路芯片研制与代工服务；该芯片可用于5G通信基站、高效能源、汽车雷达、手机终端、人工智能等领域。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院的CVD用固态微波功率源产品具有集成度高，尺寸小、寿命高等特性。海南异质异构集成芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司致力于为客户提供太赫兹放大器系列芯片技术开发服务。公司自主研发的太赫兹半导体固态器件及单片集成电路，频率覆盖范围包括140GHz、220GHz、300GHz和340GHz等。公司的产品齐全，涵盖了驱放、功放、低噪放等多种类型，并可为客户提供全套的太赫兹芯片解决方案。这些太赫兹芯片在太赫兹安检、无损探测、太赫兹高速通信系统等多个领域有着应用，为安全检测和无损检测提供了强有力的支持。作为太赫兹领域的专业研发机构，公司将持续投入研发力量，推动技术创新，为客户提供更好的产品和服务。坚信通过不懈的努力，公司能为太赫兹领域的发展做出积极贡献，推动相关技术的进步和应用拓展。湖北微波毫米波器件及电路芯片流片南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司可提供定制化光电器件及电路开发方案和工艺加工服务。

南京中电芯谷科技产业园热烈欢迎各上下游企业入驻，共同打造高科技产业集群。作为园区重点企业，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司在高频器件领域拥有多项重要技术和成果，并积极寻求与上下游企业的合作与交流。公司相信，通过产业链的协同创新，将为整个产业带来更多机遇和发展空间。南京中电芯谷科技产业园是一个现代化产业园区，拥有完备的基础设施和专业的服务团队，致力于支持企业创新与发展。作为园区的重要组成部分，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司专注于高频器件的研发，并期待与更多上下游企业携手合作，共同推动产业链的完善与创新。让我们共同迈向更美好的未来。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的公共技术服务平台，具备光刻工艺技术服务，能够实现50nm级别的芯片制造。通过精密的光掩模和照射技术，公司能够将所需的图案精确地转移到晶圆上，为芯片的制造提供关键技术支持。此外，公司的金属化工艺技术服务能够将金属导线和电极精确地沉积在芯片表面，实现电路的连接和信号传输，为芯片的性能和稳定性打下坚实基础。高温处理是芯片制造过程中的重要环节，公司的平台提供专业的高温处理技术服务。在适当的温度和时间条件下，能够对芯片进行退火、氧化等处理，从而提高其性能。南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的公共技术服务平台致力于为客户提供芯片制造全流程工艺技术服务。公司的专业团队将竭诚为客户提供技术支持和咨询服务，为项目的成功开展提供有力保障。选择中电芯谷，客户将获得专业的技术支持，为芯片制造项目保驾护航。芯谷高频研究院太赫兹测试能力，可以测试至400GHz的各类元器件、MMIC电路及模块的散射参数测试和器件建模。

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司的公共技术服务平台为客户提供专业的芯片测试服务。在微波测试、直流测试、光电测试以及微结构表征分析等方面，公司都能提供专业的数据解析，确保测试结果的可靠性。此外，公司还专注于热特性测试，通过严格的实验流程和先进的设备，确保测试结果的准确性。公司的公共技术服务平台致力于为客户提供一站式解决方案，满足各种芯片在半导体领域的测试需求。公司的目标是通过持续的技术创新和服务提升，为客户提供更专业的服务，为推动芯片技术的发展做出积极贡献。芯谷高频研究院高功率密度热源产品可根据客户需求设计出色的散热效能和优异的热管理能力。光电芯片工艺加工

芯谷高频研究院的高功率密度热源产品可对热管理技术进行定量的表征和评估，且具有良好的可定制性和适应性。海南异质异构集成芯片工艺定制开发

南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司对外提供异质异构集成技术服务，可进行以下先进集成材料制备和研发：1)单晶AlN、LiNbO3压电薄膜异质晶圆，用于SAW、BAW、XBAR等高性能射频滤波器；2)厚膜LiNbO3、薄膜LiNbO3异质晶圆，用于低损耗光学平台；3)AlGaAs-on-insulator，绝缘体上AlGaAs晶圆，用于光量子器件等新一代片上光源平台；4)Miro-Cavity-SOI，内嵌微腔的绝缘体上Si晶圆，用于环栅GAA，MEMS等器件平台；5)SionSiC/Diamond，解决传统Si衬底功率器件散热低的瓶颈；6)GaNonSiC，解决自支撑GaN衬底高性能器件散热低的瓶颈；7)支持特定衬底功能薄膜材料异质晶圆定制研发。海南异质异构集成芯片工艺定制开发