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半导体用高纯度氮气发生器

关键词: 半导体用高纯度氮气发生器 氮气发生器

2024.12.28

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液质联用中除了样品处理问题、氮气的纯度也是很重要的影响因素,却往往被忽视。膜式的发生器轻巧好用且价格便宜,但是实际供应纯度就有95-96%,且1-3年后纯度即会递减至93%左右。目前多数使用者因为只关心压力达到100psi,就以为氮气没问题。实际上纯度可能早已不足,并且持续污染质谱,导致常常在质谱的毛细管严重氧化,或者仪器灵敏度下降、离子源、碰撞池被严重污染时,才会发现氮气纯度不足问题。建议用户在日常实验时便要多关注氮气纯度,以免纯度灵敏度不足,影响到实验时才发现,需花大钱维修质谱。氮气发生器,就选日本东宇机电,用户的信赖之选,有需求可以来电购买氮气发生器!半导体用高纯度氮气发生器

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深冷空分制氮装置适用于有极大氮气需求的大规模工业应用。一般会建造深冷空分制氮场合是专业的气体供应厂家,大量生产后分装成杜瓦罐及钢瓶罐;或者是使用量极大(3000Nm3/h)以上的工厂使用。中小规模的蛋器使用深冷制氮就显得较为不适用。3000Nm3/h以下使用量的场合,一般依照纯度不同,建议使用变压吸附式的制氮机,或者膜式的制氮机。需求氮气纯度在97%以上的话推荐使用变压吸附PSA式,需求氮气纯度97%以下的部份则推荐使用膜式氮气发生器。理研SCIEX氮气发生器报价日本东宇机电为您提供氮气发生器,有想法的可以来电购买氮气发生器!

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欧洲药典定义了两种类型的氮气:“医用氮气”和“低氧氮气”。医用氮气是属于在医院使用,医疗用途的氮气;低氧氮气是用于对氧敏感的药品的保护气体。然而药典中就对于低氧含量的氮气纯度要求要达到99.5%,而没有水分、油分、粒子的标准要求。膜式的氮气发生器99.5%的纯度为极限值,无法达到,且包含的水分及杂质较多,因此一般使用于制药行业的氮气发生器都会采用进口的变压吸附PSA分子筛型式的氮气发生器,不但可以确保得到洁净气体,也可避免国内目前尚在克服的分子筛粉化问题,避免产线污染。

激光切割主要使用的辅助气体有氧气、氮气两种切割方式。在氧气切割时,氧气参与燃烧,断面可能会较粗糙,且氧化反应增大的热影响区,切割质量相对氮气切割会较差,可能出现切缝宽、断面斜纹、表面粗糙度差及焊渣等质问题。氮气切割中,氮气的惰气可避免过多的氧化反应,熔点区域温度相对氧切割较低; 加上氮气的冷却保护作用,反应较平稳均匀,切割断面较为光滑,表面粗糙度低,而且无氧化层。氧气切割主要应用于碳钢。氮气切割适合铝、黄铜、不锈钢等。激光切割因为是高温反应,需要极高的氮气纯度99.999%以上,目前国内技术需要加碳或加氢纯化; 日本东宇的制氮机可不经过纯化器,即可直接达到符合使用要求的99.999%高纯氮气。氮气发生器,就选日本东宇机电。

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早期薯片、牛奶等包装中所充的气体是空气,近来随着发现氮气的惰性特点,可以有效地防止细菌,酵母菌和霉菌等的增生与繁殖。虽然惰性气体也可以采用二氧化碳,为弱酸性,可能对食物风味造成影响,且氮气可直接采用氮气发生器,从大气中源源不绝的取得,成本较二氧化碳低很多,因此目前多数食品包装会选择采用氮气发生器冲填入包装内,以达到良好的保鲜效果。充填在食品内的氮气,必须符合国标GB29202-2012《食品安全国家标准 食品添加剂 氮气》的要求,食品添加剂氮气的纯度需要达到99%。此外,出口的氮气必须要符合ISO8573-1:2010 Class 1.2.1 的压缩空气标准,确保产出的氮气是高纯度的洁净气体。日本东宇机电是一家专业提供氮气发生器的公司,有想法的不要错过哦!日本东宇安捷伦氮气发生器品牌

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气辅注塑是将高压氮气注射到熔融的胶料中,形成推动溶料前进,实现注射、保压、冷却等技术。利用气体高效的压力传递性,使气道内各处的压力保持一致,消除内部应力,防止产品变形,并且同时大幅降低模腔内压力。利用此原理,在成型过程中可以降低锁模力,减轻产品重量、消除缩痕…等。气辅模具与传统注塑模具差别是气辅增加了进气元件(气针),以及气道的设计。氮气的纯度会影响气针的锈蚀程度,因此气辅设备建议使用PSA变压吸附,可产生稳定纯度的氮气,维持气针的良好寿命,避免溶胶堵塞、气针损坏等问题。半导体用高纯度氮气发生器

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