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江西MEMS微纳米加工设计规范

关键词: 江西MEMS微纳米加工设计规范 MEMS微纳米加工

2025.04.28

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MEMS特点:

1.微型化:MEMS器件体积小、重量轻、耗能低、惯性小、谐振频率高、响应时间短。

2.以硅为主要材料,机械电器性能优良:硅的强度、硬度和杨氏模量与铁相当,密度类似铝,热传导率接近钼和钨。

3.批量生产:用硅微加工工艺在一片硅片上可同时制造成百上千个微型机电装置或完整的MEMS。批量生产可降低生产成本。

4.集成化:可以把不同功能、不同敏感方向或致动方向的多个传感器或执行器集成于一体,或形成微传感器阵列、微执行器阵列,甚至把多种功能的器件集成在一起,形成复杂的微系统。微传感器、微执行器和微电子器件的集成可制造出可靠性、稳定性很高的MEMS。

5.多学科交叉:MEMS涉及电子、机械、材料、制造、信息与自动控制、物理、化学和生物等多种学科,并集约了当今科学技术发展的许多成果。 汽车上的MEMS传感器有哪些?江西MEMS微纳米加工设计规范

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太赫兹柔性电极的双面结构设计与加工:太赫兹柔性电极以PI为基底,采用双面结构设计,上层实现太赫兹波发射/接收,下层集成信号处理电路,解决了传统刚性太赫兹器件的便携性难题。加工工艺包括:首先在双面抛光的PI基板上,利用电子束光刻制备亚微米级金属天线阵列(如蝴蝶结、螺旋结构),特征尺寸达500nm,周期1-2μm,实现对0.1-1THz频段的高效耦合;背面通过薄膜沉积技术制备氮化硅绝缘层,溅射铜箔形成共面波导传输线,线宽控制精度±10nm,特性阻抗匹配50Ω。电极整体厚度<50μm,弯曲状态下信号衰减<3dB,适用于人体安检、非金属材料检测等场景。在生物医学领域,太赫兹柔性电极可非侵入式检测皮肤水分含量,分辨率达0.1%,检测时间<1秒,较传统电阻法精度提升5倍。公司开发的纳米压印技术实现了天线阵列的低成本复制,单晶圆(4英寸)产能达1000片以上,良率>85%,推动太赫兹技术从实验室走向便携式设备,为无损检测与生物传感提供了全新维度的解决方案。上海MEMS微纳米加工咨询问价MEMS具有以下几个基本特点?

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MEMS制作工艺-太赫兹脉冲辐射探测:

光电导取样光电导取样是基于光导天线(photoconductiveantenna,PCA)发射机理的逆过程发展起来的一种探测THz脉冲信号的探测技术。如要对THz脉冲信号进行探测,首先,需将一个未加偏置电压的PCA放置于太赫兹光路之中,以便于一个光学门控脉冲(探测脉冲)对其门控。其中,这个探测脉冲和泵浦脉冲有可调节的时间延迟关系,而这个关系可利用一个延迟线来加以实现,尔后,用一束探测脉冲打到光电导介质上,这时在介质中能够产生出电子-空穴对(自由载流子),而此时同步到达的太赫兹脉冲则作为加在PCA上的偏置电场,以此来驱动那些载流子运动,从而在PCA中形成光电流。用一个与PCA相连的电流表来探测这个电流即可,

超声影像芯片的全集成MEMS设计与性能突破:针对超声PZT换能器及CMUT/PMUT新型传感器的收发需求,公司开发了**SoC超声收发芯片,采用0.18mm高压SOI工艺实现发射与开关复用,大幅节省芯片面积的同时提升性能。在发射端,通过MEMS高压驱动电路设计,实现±100V峰值输出电压与1A持续输出电流,较TI同类产品提升30%,满足深部组织成像的能量需求;接收端集成12位ADC,采样率可达100Msps,信噪比(SNR)达73.5dB,有效提升弱信号检测能力。芯片采用多层金属布线与硅通孔(TSV)技术,实现3D堆叠集成,封装尺寸较传统方案缩小40%。在二次谐波抑制方面,通过优化版图布局与寄生参数补偿,将5MHz信号的二次谐波降至-40dBc,优于行业基准-45dBc,***提升图像分辨率。目前TX芯片已完成流片,与掌上超声企业合作开发便携式超声设备,可实现腹部、心血管等部位的实时成像,探头尺寸*30mm×20mm,重量<50g,推动超声诊断设备向小型化、智能化迈进,助力基层医疗场景普及。自研超声收发芯片输出电压达 ±100V、电流 1A,部分性能指标超越国际品牌 TI。

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MEMS技术的主要分类:光学方面相关的资料与技术。光学随着信息技术、光通信技术的迅猛发展,MEMS发展的又一领域是与光学相结合,即综合微电子、微机械、光电子技术等基础技术,开发新型光器件,称为微光机电系统(MOEMS)。微光机电系统(MOEMS)能把各种MEMS结构件与微光学器件、光波导器件、半导体激光器件、光电检测器件等完整地集成在一起。形成一种全新的功能系统。MOEMS具有体积小、成本低、可批量生产、可精确驱动和控制等特点。以PI为特色的柔性电子在太赫兹超表面器件上的应用很广。海南MEMS微纳米加工特征

MEMS四种ICP-RIE刻蚀工艺的不同需求。江西MEMS微纳米加工设计规范

SU8微流控模具加工技术与精度控制:SU8作为负性光刻胶,广泛应用于6英寸以下硅片、石英片的单套或套刻微流控模具加工,可实现5-500μm高度的三维结构制造。加工流程包括:基板清洗→底涂处理→SU8涂胶(转速500-5000rpm,控制厚度1-500μm)→前烘→曝光(紫外光强度50-200mJ/cm²)→后烘→显影(PGMEA溶液,时间1-10分钟)。通过优化曝光剂量与显影时间,可实现侧壁垂直度>88°,**小线宽10μm,高度误差<±2%。在多层套刻加工中,采用对准标记视觉识别系统(精度±1μm),确保上下层结构偏差<5μm,适用于复杂三维流道模具制备。该模具可用于PDMS模塑成型,复制精度达95%以上,流道表面粗糙度Ra<100nm。典型应用如细胞培养芯片模具,其微柱阵列(直径50μm,高度200μm,间距100μm)可模拟细胞外基质环境,促进干细胞定向分化,细胞黏附率提升40%。公司具备从模具设计、加工到复制成型的全链条能力,支持SU8与硅、玻璃等多种基板的复合加工,为微流控芯片开发者提供了高精度、高性价比的模具解决方案。江西MEMS微纳米加工设计规范

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