云浮高频离子氮化工艺

离子氮化过程中，电压、电流、气压、温度和时间等参数的准确控制至关重要。电压决定了离子的加速能量，影响氮离子的轰击效果和氮化速度；电流反映了离子的数量，与氮化层的生长速率相关。气压需维持在合适范围，保证气体电离和辉光放电的稳定进行。温度是影响氮化反应的关键因素，不同金属材料和氮化要求对应不同的极好温度区间，一般在 450 - 650℃之间。处理时间则根据氮化层深度和硬度要求而定，通常为 2 - 20 小时。通过合理调整这些参数，可精确控制氮化层的质量，满足不同工件的性能需求，确保离子氮化工艺的高效、稳定运行。钢材热处理：离子氮化、液体氮化、气体氮化的作用及技术流程。云浮高频离子氮化工艺

   离子渗氮的几个问题：温度测量。普通热处理设备利用电热体发热加热工件，炉内温度均匀，测温热电偶的温度可反映工件温度。离子渗氮靠工件自身辉光放电加热，而且工件带阴极电位，热电偶不能与工件直接接触，所以测温热电偶的温度与工件温度不一致。炉内工件越少，热电偶距离工件越远，热电偶温度与工件温度相差越大。实际操作时，经常采取目测温度等方法，弥补测温不准的问题。温度均匀性。离子渗氮靠自身辉光放电加热，同一炉不同工件，质量不同，表面积不同，受热也不同，所以工件温度可能不均匀。实际工艺操作时，同炉工件相差不要太大。要考虑工件的装炉方式，质量大，表面积小的工件受热条件差，温度偏低，装炉时，放在阴极盘的内圈或下部，必要时，加辅助阴极。带有小孔、窄缝工件的处理。带有小孔、窄缝的工件，易产生空心阴极效应，导致局部电流过大，温升过高而产生弧光放电，工艺不能进行。建议将小孔、窄缝屏蔽，如不易屏蔽，则须调整气压，来调整阴极放电长度，避免产生空心阴极效应。惠州模具离子氮化优势离子氮化阴极结构示意图。

离子氮化后零件的“肿胀”现象及防治对策：“肿胀”的本质。离子氮化后零件的“肿胀”实际上是零件尺寸变化的一种表现形式。尺寸变化是由于氮化时工件表面吸收了大量的氮原子，生成各种氮化物或工件表层原始组织的晶格常数增大所致，宏观上则表现为表层体积的略微增加。氮化后零件的“肿胀”是一种普遍现象。各种氮化方法（气体氮化、液体氮化和离子氮化）处理后的零件或多或少总会存在一定的“肿胀”。但应该说明的是：离子氮化后零件的“肿胀量”较其它氮化方法要小。这是因为：离子氮化中的“阴极溅射”有使尺寸缩小的作用，因而抵消了一部分氮化“肿胀量”。

   离子渗氮工艺质量检验：渗氮层厚度渗氮层包括化合层和扩散层，渗氮层厚度和时间呈抛物线关系。常用金相法和硬度法测量渗氮层厚度。金相法将金相试样磨制，经过试剂﹝化合层用2-4％硝酸酒精溶液，扩散层用5％苦味酸酒精溶液﹞腐蚀后，用金相显微镜放大100-200倍测量，从表面测至与基体有明显界限为止，其长度即为渗氮层厚度。硬度法用100g负荷的维氏硬度计从表面至心部垂直打硬度，打到高于基体硬度30-50Hv处,从表面至此处的距离做为渗氮层厚度。渗氮层硬度渗氮层的表面硬度用5-10Kg负荷的维氏硬度计测量，渗层厚度≤，负荷不应超过5Kg。化合层的表面硬度用50-200g负荷的显微硬度计测量。渗氮层脆性检查用10Kg负荷的维氏硬度计打渗氮试样表面，以压痕的完整程度评定脆性。离子渗氮又称辉光渗氮，是利用辉光放电原理进行的。

由于空心阴极效应，当小孔的孔径比达到一定数值时，离子氮化的渗氮也无法正常进行，因为深孔内起辉容易导致孔内辉光叠加进而引起工件表面超温。另一方面，如果孔深过大，受阴阳极距离的影响，孔内的起辉难度会增大，导致工件温度偏低。根据经验，通孔的内孔长度与直径的比值达到8时渗氮效果会变差，此时可以增加辅极来改善渗氮效果；通孔的内孔长度与直径的比值达到16时渗氮会变得很困难，需要特殊方法才能实现。如果有需要离子氮化的需要，欢迎联系我们衡创。离子氮化是一种全新的氮化工艺,具有高效,节能,环保等诸多优点,是氮化的发展方向。汕头什么是离子氮化检查

不锈钢离子渗氮,不会损害表面光洁度,多年经验,更专业,被氮化的工件变形极小,尺寸稳定性好。云浮高频离子氮化工艺

   离子氮化脉冲电源的优点：脉冲电源离子氮化技术的特点与直流离子氮化相比，脉冲电源使离子氮化工艺得到了进一步的发展，并在直流离子氮化技术基础上拓宽了应用范围。脉冲电源离子氮化技术具有如下一些特点：工艺参数单独可调，脉冲电源的优点之一是工艺参数与物理参数单独可调。这是因为在直流电源条件下，既要满足零件表面的电流密度要求，又要满足零件保温电流密度的要求，两者相互影响。而在脉冲电源条件下，电流密度由峰值电流满足，保温电流由平均电流满足，可由两个单独参数分别调节。因此，工艺参数可在较大范围内变动。打弧速度快，脉冲电源的输出特性，自身就有抑制电弧迅速发展的特点，由于IGBT开关响应速度极快，这更利于我们一旦发现弧光放电就立即关断电源，然后重新点燃电源，这些工作均在几十微秒内完成。云浮高频离子氮化工艺