首页 >  电子元器 >  天津XBM5244 赛芯代理

天津XBM5244 赛芯代理

关键词: 天津XBM5244 赛芯代理 赛芯

2025.12.01

文章来源:

3串  XBM3360  集成Sense芯片内置高精度电压检测电路和电流检测电路,支持电池过充电、过放电、充电过电流、放电过电流和短路保护功能,具备25mV过充电检测精度,锂电池具备电压高、能量密度大、循环寿命长等优点,在各种需要储能的场景都有广泛应用。但对于锂电池而言,过充、过放、过压、过流等情况都会导致电池异常,影响电池使用寿命。因此,多串锂电池需要保护IC来监控和保护电池,避免出现危险状况\多串锂电池保护IC及其特点、应用移动电源  电动工具等2串 XBM2138 集成均衡/集成MOS 锂电池保护IC.天津XBM5244 赛芯代理

天津XBM5244 赛芯代理,赛芯

锂电池保护板分为一级保护和二级保护。一级保护通常指的是主动组件保护,包括保护IC和MOSFET,它能够实时监测电池的电压和充放电电流,并在必要时MOSFET的导通或关断,以防止电池过充、过放、过载及短路。而二级保护则是指使用PTC、MHP、丝等被动组件来进一步增强电池的安全性。这些组件通常是温度敏感的,能够在电池温度异常升高时呈现高阻状态,阻止电流流动,从而避免可能的危险情况当电池温度异常升高时,PTC或MHP会呈现高阻状态,阻碍电池的充放电,从而防止锂电池的起火。这种保护方式被称为二级保护,它是一种被动组件保护,通常作为一级保护电路(IC/Mosfet)的补充。多节锂电保护产品二级保护二级保护是指使用PTC、MHP、等被动组件来保护电池。深圳6096J9t赛芯厂家芯纳科技作为赛芯芯片代理,XBM3215MDA 现货供应,满足客户即时生产需求。

天津XBM5244 赛芯代理,赛芯

深圳市芯纳科技作为赛芯 XR4981A 的质量代理商,在智能穿戴设备应用场景中展现出优势。智能穿戴设备对充电 IC 的体积、功耗和稳定性要求极高,赛芯 XR4981A 采用超小封装设计,能完美适配智能手表、手环等紧凑空间,同时低功耗特性可有效延长设备续航时间,满足用户对设备长时间使用的需求。而芯纳科技的代理优势更是为客户提供了坚实保障,作为官方授权代理商,芯纳科技拥有稳定且充足的赛芯 XR4981源,可避免因原厂供货波动导致的断供风险,确保智能穿戴设备厂商的生产计划顺利推进。

XBM4530系列产品内二级保护芯片、置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出高精度智能型磷酸铁锂离子电池充电管理芯片,具有功能全、集成度高,外部电路简单。

天津XBM5244 赛芯代理,赛芯

PCBLayout参考---两颗芯片并联两个同型号的锂电保护可以直接并联,实现几乎是直接翻倍的带载能力,降低内阻,提高效率,但布板清注意:①两个芯片尽量对称,直接跨接在B-和大地上。②B-和VM尽量大面积铺地,减小布线内阻和加强散热。③,每片锂电保护IC都需要一个。100Ω电阻**好共用一颗电阻,并且布的离VDD近些,尽量与两个芯片距离差不都。④VDD采样线可以略长些,也无需多粗,但需要绕开干扰源-VDD采样线里面没有大电流。PCBLayout参考---DFN1*1-4①DFN1*1-4封装较小,PCB板上,封装焊盘略大一些,避免虚焊。②,走线经过电阻后,先经过电容再到芯片的VDD。③电容的GND尽量短的回到芯片的GND,使整个电容环路**小。④芯片的GND(B-)到VM建议预留一个C2()电容位置,C2电容可以提高ESD和抗干扰能力。⑤芯片的EPAD,建议连接芯片的GND(B-)或者悬空。芯纳科技专注赛芯芯片代理,XBM5770 现货在售,可快速响应订单需求。深圳DS2730赛芯现货

锂电池保护系列XySemi的产品系列,产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超。天津XBM5244 赛芯代理

 XBM4530系列产品内置高精度的电压检测电路和延迟电路,是一款用于可充电电池组的二级保护芯片,通过检测电池包中每一节电芯的电压,为电池包提供过充电保护和过放保护1。功能特点高精度电池电压检测功能:过充电检测电压-(步进50mV),精度±25mV;过充电电压0-(步进50mV),精度±50mV;过放电检测电压-(步进100mV),精度±80mV;过放电电压0V-(步进100mV),精度±100mV1。保护延时内置可选:可根据不同应用场景选择合适的保护延时1。内置断线保护功能(可选):增加了电池使用的安全性1。输出方式可选:有CMOS输出、N沟道开路漏级输出、P沟道开路漏级输出三种方式1。输出逻辑可选:动态输出H、动态输出。天津XBM5244 赛芯代理

点击查看全文
推荐文章