安徽晶圆键合实验室

在晶圆键合技术的设备适配性研究中，科研团队分析现有中试设备对不同键合工艺的兼容能力，提出设备改造的合理化建议。针对部分设备在温度均匀性、压力控制精度上的不足，团队与设备研发部门合作，开发了相应的辅助装置，提升了设备对先进键合工艺的支持能力。例如，为某型号键合机加装的温度补偿模块，使晶圆表面的温度偏差控制在更小范围内，提升了键合的均匀性。这些工作不仅改善了现有设备的性能，也为未来键合设备的选型与定制提供了参考，体现了研究所对科研条件建设的重视。晶圆键合为柔性电子器件提供刚柔结构转印技术路径。安徽晶圆键合实验室

在异质材料晶圆键合的研究中，该研究所关注宽禁带半导体与其他材料的界面特性。针对氮化镓与硅材料的键合，团队通过设计过渡层结构，缓解两种材料热膨胀系数差异带来的界面应力。利用材料外延平台的表征设备，可观察过渡层在键合过程中的微观变化，分析其对界面结合强度的影响。科研人员发现，合理的过渡层设计能在一定程度上提升键合的稳定性，减少后期器件使用过程中的界面失效风险。目前，相关研究已应用于部分中试器件的制备，为异质集成器件的开发提供了技术支持，也为拓宽晶圆键合的材料适用范围积累了经验。共晶晶圆键合实验室结合材料分析设备，探索晶圆键合界面污染物对键合效果的影响规律。

研究所利用其作为中国有色金属学会宽禁带半导体专业委员会倚靠单位的优势，组织行业内行家围绕晶圆键合技术开展交流研讨。通过举办技术论坛与专题研讨会，分享研究成果与应用经验，探讨技术发展中的共性问题与解决思路。在近期的一次研讨中，来自不同机构的行家就低温键合技术的发展趋势交换了意见，形成了多项有价值的共识。这些交流活动促进了行业内的技术共享与合作，有助于推动晶圆键合技术的整体进步，也提升了研究所在该领域的学术影响力。

围绕晶圆键合过程中的质量控制，该研究所建立了一套较为完善的检测体系。利用器件测试平台的精密仪器，科研团队对键合后的晶圆进行界面平整度、电学性能等多维度检测，分析不同工艺参数对键合质量的影响权重。在中试基地的实践中，通过实时监测键合过程中的压力与温度变化，积累了大量工艺数据，为制定标准化操作流程提供依据。针对键合界面可能出现的气泡、裂缝等缺陷，团队开发了相应的无损检测方法，能够在不破坏晶圆的前提下识别潜在问题。这些工作不仅提升了键合工艺的可靠性，也为后续的器件加工提供了质量保障。晶圆键合为超构光学系统提供多材料宽带集成方案。

围绕晶圆键合技术的中试转化，研究所建立了从实验室工艺到中试生产的过渡流程，确保技术参数在放大过程中的稳定性。在 2 英寸晶圆键合技术成熟的基础上，团队逐步探索 6 英寸晶圆的中试工艺，通过改进设备的承载能力与温度控制精度，适应更大尺寸晶圆的键合需求。中试过程中，重点监测键合良率的变化，分析尺寸放大对工艺稳定性的影响因素，针对性地调整参数设置。目前，6 英寸晶圆键合的中试良率已达到较高水平，为后续的产业化应用提供了可行的技术方案，体现了研究所将科研成果转化为实际生产力的能力。晶圆键合提升热电制冷器界面传输效率与可靠性。吉林硅熔融晶圆键合加工平台

晶圆键合提升环境振动能量采集器的机电转换效率。安徽晶圆键合实验室

针对晶圆键合过程中的气泡缺陷问题，科研团队开展了系统研究，分析气泡产生的原因与分布规律。通过高速摄像技术观察键合过程中气泡的形成与演变，发现气泡的产生与表面粗糙度、压力分布、气体残留等因素相关。基于这些发现，团队优化了键合前的表面处理工艺与键合过程中的压力施加方式，在实验中有效减少了气泡的数量与尺寸。在 6 英寸晶圆的键合中，气泡率较之前降低了一定比例，明显提升了键合质量的稳定性。这项研究解决了晶圆键合中的一个常见工艺难题，为提升技术成熟度做出了贡献。安徽晶圆键合实验室