上海光刻技术
关键词: 上海光刻技术 光刻
2026.03.25
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基于光刻工艺的微纳加工技术主要包含以下过程:掩模(mask)制备、图形形成及转移(涂胶、曝光、显影)、薄膜沉积、刻蚀、外延生长、氧化和掺杂等。在基片表面涂覆一层某种光敏介质的薄膜(抗蚀胶),曝光系统把掩模板的图形投射在(抗蚀胶)薄膜上,光(光子)的曝光过程是通过光化学作用使抗蚀胶发生光化学作用,形成微细图形的潜像,再通过显影过程使剩余的抗蚀胶层转变成具有微细图形的窗口,后续基于抗蚀胶图案进行镀膜、刻蚀等可进一步制作所需微纳结构或器件。浸入式光刻技术明显提高了分辨率。上海光刻技术

光刻工艺就是将光学掩膜版的图形转移至光刻胶中。掩膜版按基板材料分为树脂和玻璃基板,其中玻璃基板又包含石英玻璃,硅硼玻璃,苏打玻璃等,石英玻璃硬度高,热膨胀系数低但价格较高等主要用于高精度领域;按光学掩膜版的遮光材料可分为乳胶遮光模和硬质遮光膜,硬质遮光膜又细分为铬,硅,硅化钼,氧化铁等。在半导体领域,铬-石英版因其性能稳定,耐用性,精度高等在该领域被广泛应用。我国的光学掩膜版制作始于20世纪60年代,当时基板主要进口日本“樱花”玻璃及美国柯达玻璃。1978年,我国大连玻璃厂当时实现制版玻璃的产业化,成品率10%左右。80年代后期,基板主要采用平拉玻璃。到90年代,浮法玻璃技术技术较为成熟,开始使用浮法玻璃作为基板,2005年使用超白浮法玻璃作为基板。2010年以后,光掩模基板石英玻璃开始投产,其质量能基本满足IC产业光掩模版基板的高精度需求。随着市场对大直径硅片的需求,大尺寸玻璃基板也同时趋向于大型化,对光掩模石英玻璃基板也提出了更高的要求。广东微纳加工技术底部对准( BSA)技术,能实现“ 双面对准,单面曝光”。

铝(Aluminium)是一种银白色轻金属,密度为2.70g/cm3。熔点660℃。易溶于稀硫酸、硝酸、盐酸、氢氧化钠和氢氧化钾溶液,难溶于水。在常温下能形成一层防止金属腐蚀的氧化膜。铝的湿法刻蚀溶液主要是磷酸、硝酸、醋酸以及水的混合溶液,其中,磷酸为主腐蚀液,硝酸为氧化剂、催化剂,醋酸作缓冲剂、活性剂,改善表面压力;腐蚀液温度越高,腐蚀速率越快。光刻工艺使用的光源为紫外全谱,之后慢慢发展到使用G线和I线紫外光作为光源。在G线和I线光刻工艺中,光刻胶的基体材料主要为酚醛树脂,其由对甲酚、间甲酚与甲醛缩合得到,采用的感光化合物为重氮萘醌化合物。其曝光显影机理主要为:(1)在未曝光区,重氮萘醌与光刻胶基体酚醛树脂会形成分子间氢键、静电相互作用等,从而起到抑制溶解的作用;(2)在曝光区,重氮萘醌在光照条件下分解生成羧酸,进而易与碱性的TMAH显影液发反应,起到促进光刻胶溶解的作用。TMAH溶液相较于氢氧化钾水溶液等碱性溶液,其不含金属离子,在先进制程中可以减小因金属离子带来的缺陷问题。
双面对准光刻机采用底部对准(BSA)技术,能实现“双面对准,单面曝光”。该设备对准精度高,适用于大直径基片。在对准过程中,图形处理技术起到了至关重要的作用。其基本工作原理是将CCD摄像头采集得到的连续模拟图像信号经图像采集卡模块的D/A转换,变为数字图像信号,然后再由图像处理模块完成对数字图像信号的运算处理,这主要包括图像预处理、图像的分割、匹配等算法的实现。为有效提取对准标记的边缘,对获取的标记图像通常要进行预处理以便提取出图像中标记的边缘,这包括:减小和滤除图像中的噪声,增强图像的边缘等。光刻胶根据其感光树脂的化学结构也可以分为光交联性、光聚合型、光分解型和化学放大型。图形反转胶的显影过程。

光刻机经历了5代产品发展,每次改进和创新都明显提升了光刻机所能实现的工艺节点。为接触式光刻机。曝光方式为掩模版与半导体基片之间靠控制真空度实现紧密接触,使用光源分别为g线和i线。接触式光刻机由于掩模与光刻胶直接接触,所以易受污染,掩模版和基片容易受到损伤,掩模版寿命短。第二代为接近式光刻机。曝光方式为掩模版与半导体基片之间有微米级别的间隙,掩模版不容易受到损伤,掩模版寿命长,但掩模版与基片之间的间隙也导致成像质量受到影响,分辨率下降。光学系统的优化设计是提升光刻精度的关键。数字光刻厂商
双面镀膜光刻是针对硅及其它半导体基片发展起来的加工技术。上海光刻技术
厚胶光学光刻具有工艺相对简单、与现有IC工艺流程兼容性好、制作成本低等优点,是用来制作大深度微光学、微机械、微流道结构元件的一种很重要的方法和手段,具有广阔的应用前景,因而是微纳加工技术研究中十分活跃的领域。厚胶光刻是一个多参量的动态变化过程,多种非线性畸变因素的存在,使得对其理论和实验的研究,与薄胶相比要复杂得多。厚层光刻胶显影后抗蚀剂浮雕轮廓不仅可以传递图形,而且可以直接作为工作部件、微机械器件封装材料等。例如SU—8光刻胶具有良好的力学特性,可直接作为微齿轮、微活塞等部件的工作材料。随着厚胶光学光刻技术的成熟和完善,该技术不仅可以制作大深度、大深宽比台阶型微结构元件,而且可以制作大深度连续面形微结构元件。上海光刻技术
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