XB3153ISF

6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g。芯纳科技锂电池充电 IC，适用于多节锂电池组，平衡充电延长电池寿命。XB3153ISF

5号（AA）7号（AAA）电池也就是我们常用的电池，以南孚，金霸王，555等品牌被大家熟知。市场上主要以碱性电池为主，输入的电压是1.5V。其主要特点就是方便快捷以及价格低廉。其缺点也是非常明显：碱性电池是一次性电池，因其化学特性使用后易被丢弃后对土壤的污染是非常严重；另外长时间放置容易因受潮或者氧化原因造成化学原料漏液造成对电子产品的化学损坏，轻则氧化电池触点无法使用（可简单修复），重则直接损坏电子产品致报废或者短路引起起火都有可能。XS5502XS5301XS5306XS5802XR2682电源管理IC供应商芯纳科技研发的锂电池充电 IC，优化散热设计，高温环境稳定工作。

ESD（ElectrostaticDischarge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-bodyModel）、机器放电模式（MM：MachineModel）、元件充电模式（CDM：Charge-DeviceModel）、电场感应模式（FIM：Field-InducedModel），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD；芯片级ESD：HBM大于2KV，较高的是8KV。系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。

XLD6031P18、XLD6031P30、XLD6031P33、XLD6032M33、XM5021R18、XM5062SADJ、XM5081ADJ、XM5082ADJ、XM5151ADJ、XM5152ADJ、XM5202ADJ、XM5205、XM6701、XR2204D、XR2681、XR2682、XR2981、XR3403、XR3413、XR4981A、XR4981C、XS5301、XS5302、XS5305、XS5306、XS5306C、XS5308A、XS5309C、XS5502。赛芯微电子通过自主研发的多项器件及电路结合独特的工艺技术，将控制IC与开关管集成于同一芯片，推出世界小的锂电池保护方案XLD6031M18、 芯纳科技供应适用于测温仪的电源管理芯片，适配便携检测设备使用。

XS5301XS5306XS550是一款集成降压变化器，锂电池充电管理，电池电量指示的多功能电源管理SOC，为USB充干电池提供完整的电源解决方案。XS5301XS5306XS5502充电电流和充电电压可调，支持多种规格锂电池应用，充电电流1A.ZCC5600充电电压和电流根据锂电池温度自动调节，更加安全可靠。放电输出1.5V固定电压，高效率高达93%.待机电流低至3uA以内，支持锂电池长时间待机。·充电电流和充电电压外部电阻调节支持4.2/4.3/4.35/4.4V锂电池充电充电电流400mA-1000mA可调。芯纳科技的锂电池充电 IC，充电效率在低温环境提升 15%。XBM3204JFG电源管理IC拓微电子

DS3730 是一颗集成了协议和升降压的移动电源和充电器二合一单SOC 芯片.XB3153ISF

CN5815是一款固定频率电流模式PWM控制器，用于升压型高亮度LED驱动。CN5815输入电压范围为4.5V到32V，驱动外部N沟道场效应晶体管(MOSFET)，LED电流通过外部电流检测电阻设置。CN5815内部集成有基准电压源单元，误差放大器，330KHz振荡器，斜坡补偿发生器，电流模式PWM控制单元，电感过流保护电路，LED亮度调整单元，芯片关断单元，软启动电路和栅极驱动电路等模块。CN5815采用电流模式PWM控制，改善了瞬态响应特性，简化了频率补偿网络。内置的软启动电路有效降低了上电时的浪涌电流。其它功能包括芯片关断功能，过压保护，LED亮度调整，内置5V电压调制器和斜坡补偿等。CN5815采用10管脚SSOP封装。XB3153ISF