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DS5136B集成的KEY管脚内置上拉电阻，用于检测按键的输入，支持按键单击、双击和长按键功能。小于30ms的按键动作不会有任何响应，无效操作。按键持续时间长于100ms，但小于2s，即为短按动作。短按键会打开电量显示灯或数码管显示电量和升压输出。按键持续时间长于3s，即为长按动作。长按会开启或者关闭小电流输出模式。在1s内连续两次短按键，会关闭升压输出、电量显示，进入休眠模式。DS5136B 自动检测手机插入，手机插入后即刻从待机状态唤醒，开启升压给手机充电，省去按键操作， 可支持无按键模具方案。芯纳科技提供适用于筋膜枪的电源管理芯片，适配健身器材供电场景。XS5309C3a

XS5502XS5301XS5306XS5802为什么有3.7V锂电池转1.5V干电池的产品应用呢？首先锂电池（三元为例）的标准电压为3.7V（3.6V-4.2V），单纯做成5号、7号标准尺寸是可以，但问题在于电池的电压不能符合常规的1.5V干电池应用。摇控器，玩具，赛车等等各种电子数量使用的启动电压为1.5V，锂电池要做成常规干电池的话就得做降压功能，降至1.5V。锂电池有什么特点呢？锂电轻重量轻；锂电池是可以循环使用（根据电芯的不同品质可达400-1000次）不等的，使用成本更低。锂电池的特性更加稳定；锂电相比碱性电池污染小，且回收渠道更加多元化；锂电池可以加电子功能，可以实现多元化的应用：带USB头、电量提醒，充电功能等等；当然缺点也明显：目前锂电池的成本比常规碱性电池更高，售价是碱性的几倍。XB8089D3电源管理IC供应商芯纳科技的锂电池充电管理 IC 兼容性强，可对接多种品牌电芯使用。

Xysemi设计团队成员都有多年美国模拟电路设计公司的工作经验,曾设计出多款电源管理类产品。 “电池保护系列产品”是Xysemi的产品系列，产品涵盖从几毫安时的小容量电池到几万毫安时的超大容量电池.该系列产品在性能参数，方案面积上与传统方案相比具有颠覆性的优势，本公司在“电池保护系列”产品上拥有大量的国内和国际专利。 Xysemi现有的主导产品系列包括“电池保护系列产品”,“SOC系列产品”,DC-DC 降压系列,DC-DC 升压系列 以及屏背光系列等.

芯纳科技：的赛芯微的锂电池保护芯片有：5301C、6501C、STP01、STP02、3IS1、A0v、3A、6A、6D、6B、XBaca、XBaaA、2h1Hj、XB4908、5136IS、5152I2SZ、3IS3、H3A3b1、3A3d1、6A3Z、6D3K、XBaaA3b1、XBaaA3b2、XB4908AJ、XB4908AJ3K2、XB4908GJ1w1、XB4908GJ3d1、5306A3T、5306A3W、5307A3A、5332A2W5、5332A2w、55352A3T、5352AR、3Q5352G2n、5352G3T、5352G3T/、5352G2r、5353A3T、5353A3W、5606AJ2s3、5606AJ2u1、5606AJ2v、15606AJ2z6、5606GJ1E、5608AJ2z、5608AJ3K、XB6008H3Q、3J131dA、6096J9o、6096J9q、6096JS0N、XB7608A2S3、XB7608A2S6、XB7608AJ3c1、XB7608AJL3a1、XB7608GJ3Z、XB7608GJ3d、XB8089D2h、XB8089D3T、XB8089D3U、XB8089G2n、XB8608AJ2W、XB8608AJ2s、XB8886A3B4、XB8886A3X1、XB8886A3b4、XB8886G3H、XB8989A2x、XB8989A3V31ihv、XC30713M、XC31012u、3105AN1w、50150y、50151P、AN1R、AN1S、XR29812e/、XR29812g等芯纳科技的电源管理芯片适配车载充电器，满足车用供电转换控制需求。

DS6036B集成涓流、恒流、恒压锂电池充电管理系统：当电池电压小于VTRKL时，采用涓流电流充电；当电池电压大于VTRKL时，进入输入恒流充电，电池端上限充电电流8A；当电池电压接近设定的电池电压时，进入恒压充电；当电池端充电电流小于停充电流ISTOP且电池电压接近恒压电压时，停止充电。充电完成后，若电池电压低于(VTRGT–N*0.1)V，重新开启电池充电。DS6036B采用开关充电技术，充电效率上限达到96%，能缩短3/4的充电时间。支持边充边放功能，在边充边放时，输入输出均为5V。芯纳科技的电源管理芯片适用于加湿器，保障小家电供电稳定运行使用。XB3306BR电源管理ICNTC充电管理

芯纳科技的锂电池充电管理 IC 温度适应性好，高低温环境均可稳定工作。XS5309C3a

芯纳科技： ESD（ElectrostaticDischarge）静电放电：在半导体芯片行业，根据静电产生方式和对电路的损伤模式不同，可以分为以下四种方式：人体放电模式（HBM：Human-bodyModel）、机器放电模式（MM：MachineModel）、元件充电模式（CDM：Charge-DeviceModel）、电场感应模式（FIM：Field-InducedModel），但业界关注的HBM、MM、CDM。以上是芯片级ESD，不是系统级ESD；芯片级ESD：HBM大于2KV，较高的是8KV。系统级ESD：接触ESD和空气ESD，指的是系统加上外置器件做的系统级的ESD，一般空气是15KV，接触是8KV。XS5309C3a