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云南Dhyana 400BSI V3红外相机设备

关键词: 云南Dhyana 400BSI V3红外相机设备 红外相机

2026.06.10

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近红外二区(NIR-II,1000–1700 nm)成像因其更深的组织穿透深度、更高的信噪比和更低的生物组织自发荧光,已成为小动物生物成像的前沿技术。相应的红外相机是整个系统的中心部件,目前市场上的产品主要来自国外厂商,国内以代理和系统集成商为主。在科研级NIR-II相机领域,Teledyne Princeton Instruments(普林斯顿仪器)的NIRvana系列占据重要地位。该系列采用InGaAs焦平面阵列(640×512像素,20μm像素尺寸),光谱响应覆盖900–1700 nm,在950–1500 nm波段量子效率超过85%。其中NIRvana: LN采用液氮制冷,工作温度可达-190°C,暗电流极低,适合极弱光信号的长时间曝光,是追求比较高灵敏度的优先;NIRvana: 640采用热电制冷至-85°C,兼顾性能与操作便捷性,适合大多数常规科研场景;NIRvana: HS则优化了帧率,可达250 fps,适用于血流动力学等快速过程的成像。这些相机均配备16位数字化和终身真空保证,通过LightField软件控制,并可与LabVIEW、MATLAB等编程环境集成。半导体与材料缺陷检测是工业方向的重要应用。云南Dhyana 400BSI V3红外相机设备

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SCI-VN100F可见近红外单曝光机载高光谱相机SCI-VN100F可见近红外单曝光机载高光谱相机适配大疆、大华等主流无人机平台,采用免惯导云台以及紧凑化结构设计,**延长了整机飞行时间,降低了系统功耗;实时测量植物、水体、土壤等地物的光谱图像信息,可***使用于农作物调查、水质反演、矿物填图以及森林病虫害监测与防火监测等领域。西湖智能视觉作为**以计算成像技术为**驱动力的高新技术企业,依托西湖大学国际前列科研平台,构建了 “感-存-算” 全链路自主技术体系,以底层算法突破推动智能成像系统革新。公司自 2022 年成立以来,年均研发投入占比超 30%,已形成高光谱成像(视频级)、超高速动态捕捉(万帧级)及 3D 成像(微米级)三大**技术矩阵。云南生物成像红外相机短波红外相机被用于地基望远镜的自适应光学系统以补偿大气湍流。

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红外二区(NIR-II)红外相机在生物医学、材料科学和工业检测等领域已有大量实际应用案例。血流灌注与微循环监测利用NIR-II相机的高速采集能力。部分型号如NIRvana: HS或C-RED 2系列支持数百帧每秒的成像速率,可捕捉小鼠脑皮层血流对刺激(如缺血、药物注射)的实时响应。在肢体缺血模型中,相机能够定量评估血管新生和侧支循环建立的过程,为外周血管疾病治策略的评价提供客观指标。烧伤或创伤模型中,NIR-II相机通过监测血流灌注变化来评估组织活力和愈合趋势。

D-BLUE1科研型红外相机InGaAs探测器0.9~1.7umD-BLUE1科研型红外相机采用InGaAs探测器,内置3级tec,可制冷到-50°。支持网口或者Cameralink,提供SDK,供二次开发。可广泛应用于半导体失效分析,生物***成像,天文观测等产品名称科研型短波红外面阵相机产品型号D-BLUE1探测器类型InGaAs短波红外焦平面探测器光谱响应范围0.9~1.7μm像元间距15μm分辨率640×512帧频50Hz有效像元率d≥99.8%积分类型Snapshot全局快门曝光时间范围15us-60s烧伤或创伤模型中,NIR-II相机通过监测血流灌注变化来评估组织活力和愈合趋势。

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SCI-VN100G可见近红外单曝光高光谱相机在光学系统中引入编码与色散器件,实现对高光谱图像的压缩采集,并结合自研AI算法对高光谱图像进行高精度重建,解决了传统高光谱相机需外接或者内置推扫成像机构而带来的采集速度慢以及难以操作的问题,实现毫秒级单曝光的光谱影像快速采集。产品特点高速单曝光近红外成像高精度AI重建紧凑化结构设计应用场景半导体晶圆检测印刷品检测纺织品检测药品成分分析皮肤检测艺术品采集SCI-VN100G光谱范围400-1000 nm光谱波段数≥100制冷方式直接决定暗电流水平和长时间曝光能力,液氮制冷(-190°C)适合极弱光,热电制冷操作更简便。内蒙古红外二区相机红外相机厂商

近红外二区成像因其更深的组织穿透深度、更高的信噪比和更低的生物组织自发荧光,已成为成像的前沿技术。云南Dhyana 400BSI V3红外相机设备

在集成电路故障分析方面,Teledyne Princeton Instruments的NIRvana:640ST相机被用于22 nm技术节点的SRAM电路发射成像,在800 mV供电条件下获取控制电路的光学和发射叠加图像,用于定位失效点和分析光子发射分布 。Hamamatsu的InGaAs线阵相机C15333-10E则用于半导体晶圆内部图案的透射成像,波长1100 nm的红外光可穿透硅片显示内部结构 。国惠光电的资料指出,短波红外成像非常适合半导体制造过程中的故障分析和质量保证任务,可探测材料内部缺陷特征、键合情况或电致发光情况 。云南Dhyana 400BSI V3红外相机设备

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