深圳烧结纳米银膏

烧结纳米银膏依托国内自主研发的纳米合成与烧结技术，实现性能对标全球前列产品，打破了长期以来国外厂商在烧结银材料领域的垄断。其国产化供应不仅降低了半导体封装材料的采购成本，还保证了供应链的自主可控，解决了关键材料 “卡脖子” 问题。凭借稳定的性能与本土化服务，为国内半导体、新能源等产业提供了稳定可靠的封装材料方案，助力国内电子制造产业的自主发展，推动电子材料国产化进程，提升我国在全球电子材料领域的竞争力。聚峰烧结银膏兼容金、银、铜、镍等多种金属界面，应用场景灵活。深圳烧结纳米银膏

聚峰烧结银膏的技术优势，在于纳米银颗粒的精细级配与分散工艺。产品精选粒径 20-50nm 的高纯银粉，搭配有机载体与分散剂，确保银粉在膏体中均匀分散、无团聚。烧结过程中，纳米银颗粒凭借高表面活性，在 220℃即可启动烧结，30 分钟内完成致密化成型，无需传统高温焊料所需的 350℃以上高温。烧结后形成的银层致密度高、孔隙率极低，热阻较传统焊料降低 60% 以上，能明显提升功率器件的散热效率。同时，低温烧结特性可避免芯片、基板因高温产生的热应力损伤，适配陶瓷基板、金属基板等多种封装基材，助力封装制程实现低温化升级。深圳烧结纳米银膏聚峰纳米烧结银膏自研纳米银粉，从源头管控品质，交期短、可定制化满足特殊场景。

聚峰烧结银膏作为第三代半导体封装的关键材料，正助力新能源汽车、光伏储能、工业等领域的技术升级。相比传统锡基焊料，该银膏在提升器件功率密度、散热效率、可靠性的同时，可降低封装制程成本 30% 以上，推动第三代半导体器件从实验室走向规模化量产。在新能源汽车领域，助力 SiC 功率模块实现轻量化，提升续航里程；在光伏储能领域，适配光伏逆变器、储能变流器的高功率封装，提升能源转换效率；在工业领域，保证工业电源、伺服驱动的长期稳定运行。聚峰烧结银膏以高性能、低成本的优势，成为第三代半导体封装产业化的关键推手，加速电子制造领域的技术迭代与产业升级。

聚峰烧结银膏凭借高导热、高可靠、耐高温等综合优势，深度适配新能源汽车电机控制器、光伏逆变器、风力发电变流器等领域的高功率密度封装需求。在新能源汽车 800V 平台中，保证功率模块散热与稳定连接；在光伏、风电场景中，应对户外复杂环境与长期高负载运行挑战，提升设备发电效率与可靠性。其多领域适配性，为新能源产业的电子设备提供了统一的高性能封装解决方案，助力新能源设备向更高功率、更长寿命、更可靠方向发展，推动绿色能源产业的技术升级。聚峰烧结纳米银膏兼容丝印 / 点胶工艺，普通烤箱即可烧结，无需改造产线，降本增效。

烧结银膏以纳米级银粉为主体，粒径较小，提供超高导电性与导热性能。纳米银颗粒的高比表面积使其在烧结过程中能够实现快速固态扩散，形成致密的金属连接层。高纯度银粉确保了材料的本征导电特性，电阻率接近纯银水平。有机载体系统包含溶剂、粘结剂及分散剂，帮助纳米颗粒均匀分散并维持膏体稳定性。微量添加剂如抗氧化剂可防止银粉在储存和加工过程中氧化，保证烧结质量的一致性。这种材料组成设计使烧结银膏在电子封装领域展现出出色的性能表现，成为高功率器件互连的优先选择材料方案。烧结纳米银膏形成的银层，导热率超 200W/m・K，解决高功率器件散热难题。南京雷达烧结纳米银膏

烧结纳米银膏形成银 - 银冶金结合，熔点接近纯银 961℃，高温工况下连接可靠。深圳烧结纳米银膏

聚峰烧结纳米银膏采用无铅、无卤、无重金属的配方，完全符合 RoHS、REACH 等标准，从材料源头规避传统含铅焊料的问题。针对 SiC、GaN 宽禁带半导体的封装特性，产品优化了银粉粒径与烧结活性，适配宽禁带芯片的高温工作需求，解决了传统锡膏、锡膏在 200℃以上易软化、蠕变、失效的痛点。相比传统焊料，该银膏烧结后形成的纯银互连层，化学稳定性更强，耐氧化、耐腐蚀，在高温、高湿、强振动的复杂工况下，仍能保持稳定的互连性能，为宽禁带半导体器件的长期可靠运行提供关键材料，推动第三代半导体封装向绿色、高可靠方向发展。深圳烧结纳米银膏