SIR测试系统研发

    伴随HBM技术高速迭代、产品架构持续更新，芯片企业对测试平台的灵活性、开放性与可拓展性提出更高要求。传统封闭测试系统固化程度高、定制能力弱，难以快速适配芯片设计迭代与测试场景升级，拖慢产品研发与量产进度，成为HBM芯片快速落地的掣肘。针对行业迭代痛点，国磊GT600SoC测试机搭载自主研发的开放式GTFY软件系统，具备极强的适配与定制能力。设备原生兼容VisualStudio、C++主流开发环境，支持工程师自主灵活定制测试流程，快速开发、调试复杂测试程序，高效响应HBM芯片多样化、更新快的测试需求，大幅提升测试方案开发效率。在数据互通与平台兼容方面，GT600通用适配Access、Excel、CSV、STDF等行业通用数据格式，可无缝对接企业现有数据分析与量产管理平台，打通测试数据流转壁垒，实现数据高效复用与精细分析。同时，设备配备**测试向量转换工具，支持跨平台测试方案快速迁移，无需大规模重构程序，明显缩短项目导入与量产适配周期。依托开放、轻量化、可拓展的软件生态，国磊GT600突破了传统测试设备功能固化的短板，不只是单一的硬件测试设备，更是适配HBM技术持续迭代的一体化测试平台。高效灵活的定制开发与方案迁移能力。国磊GT600支持循环执行睡眠-唤醒测试，实时采集功耗数据并自动生成报告，提升测试效率与可重复性。SIR测试系统研发

    在AI大模型与高性能计算产业高速驱动下，HBM高带宽存储器技术迎来爆发式普及。HBM3、HBM3E凭借超高带宽、很低延迟的主要优势，已成为英伟达、AMD、华为等头部企业**AI芯片、GPU的标准化配置。伴随全球AI算力需求持续井喷，HBM市场规模快速扩容、供需缺口持续扩大，也推动芯片架构通用革新，但同时为半导体量产测试环节带来全新技术难题。相较于传统存储架构，搭载HBM的AI/GPU芯片具备引脚密度高、接口速率快、时序逻辑复杂、电源完整性要求严苛等特点，彻底颠覆了传统测试体系。传统测试设备难以适配高速接口信号校准、复杂时序同步、高密度引脚稳定性检测等严苛场景，无法满足**集成芯片的验证与量产需求，形成了制约**AI芯片产业化落地的“测试墙”，成为行业亟待攻克的主要短板。针对HBM时代的**测试痛点，国磊GT600SoC测试机精细适配市场需求应运而生。该设备定位**集成芯片测试场景，区别于单一HBM芯片测试设备，主要聚焦搭载HBM架构的AI、GPU**SoC芯片，通用覆盖芯片功能验证、性能校准与规模化量产测试全流程，精细解决HBM集成芯片的测试技术瓶颈。作为国产**ATE设备的目标产品，国磊GT600有效补齐了国内HBM**芯片测试领域的技术短板。 国产替代PCB测试系统批发国磊GT600测试系统只需通过“配置升级”和“方案打包”，就能快速适配Chiplet的复杂测试需求。

    手机续航是用户体验关键指标，整机功耗优劣根源在于SoC芯片良品率与能效设计。国磊GT600单通道集成PPMU精密参数测量单元，实现全引脚nA级静态漏电流Iddq测试，精细定位制程缺陷带来的隐性漏电元器件，筛除待机耗电异常芯片，从量产源头把控基础功耗。借助FVMI强制电压测电流，可模拟高负载游戏、多摄并发、5G高速传输等真实应用场景，多电压下测绘动态功耗，校验PMIC电源管理的调压调频逻辑；FIMV强制电流测电压则用于极限负载测试，监测电压跌落问题，规避供电不稳造成的设备死机重启。经由静态微电流、动态满载功耗一体化全场景测试，该设备从芯片端把控功耗上限，构筑国产手机SoC续航保障体系，优化电能使用效率。

    现代高精手机SoC普遍搭载LPDDR5，是整机性能释放的主要关键。这类接口协议复杂、时序精度要求极高，已然成为芯片测试的重点与难点，对测试设备的运行速率与存储深度提出了严苛要求，传统测试设备难以满足长周期、高精密的测试需求。针对高速接口的测试痛点，国磊GT600SoC测试机具备强劲的适配能力。设备支持400MHz高测试速率，能够精细模拟高速信号边沿变化与时钟同步状态，有效验证各类高速接口在极限频率工况下的运行稳定性，精细排查时序异常问题。同时，GT600配备128M超大向量存储深度，可完整承载AI大模型推理、多任务并发调度等长周期、高复杂度的测试用例。彻底改善传统设备因存储空间不足，需要反复加载数据、测试覆盖不全、运行中断等问题，实现测试程序一次性加载、全流程跑完，通用保障高速接口功能验证的完整性、准确性与可靠性，为高精手机SoC的性能稳定与量产品质保驾护航。 当电源门控开关未完全关断时被关闭模块仍会产生异常漏电。国磊GT600通过PPMU测量被门控电源域的静态电流。

    PXIe模块化测试平台主要优势，模块化灵活适配，适配异构集成测试：可按需搭配数字、模拟、电源、高速、射频板卡，完美匹配Chiplet多Die、SiP混合信号、异构集成的复杂测试需求，解决传统ATE功能固化、无法适配多品类芯粒测试的痛点。高速同步与精密测量能力：支持ps级时间测量、nA级精密电流测量，可实现多通道同步采集，满足UCIe高速互联、微凸点阻抗检测、层间信号完整性、电源完整性（SI/PI）测试需求，适配。通用性强、生态成熟：全球封测、设计企业通用标准平台，兼容IEEE1687、UCIe等主流测试协议，配套仿真、建模工具完善，是先进封装研发验证的主流选型。国产自主PXIe板卡+整机ATE，杭州国磊半导体设备有限公司，性能对标NI主流型号，满足先进封测量产级精度，兼顾研发与量产，适配国内封测产业国产化替代需求，NIPXIe测试平台是Chiplet/先进封装研发测试的行业**，胜在灵活、通用、生态成熟；但受限于成本与量产效率，难以大规模普及量产。当前行业趋势为：研发端保留NI平台，量产端快速切换国产PXIe测试设备形成“海外验证+国产量产落地”的测试设备替代格局。 GT600通过高采样率动态电流监测捕获电流波形，若峰值电流超过安全阈值，可判定存在电源设计风险。SIR测试系统研发

AI边缘计算SoC用于机器人、穿戴设备MCU+AI架构芯片，GT600通过nA级PPMU、TMU支持端侧AI低功耗可靠性测试。SIR测试系统研发

    相较于传统测试模式，AI+虚拟制造赋能下的国产ATE测试板卡，呈现出高智能、高效率、低成本、高适配的主要优势。在研发端，实现板卡设计、仿真、调试全流程数字化，摆脱对人工经验的依赖；在应用端，支持多通道并行测试、智能故障定位、测试方案自适应迭代，可精细匹配AI算力芯片、车载芯片、功率半导体、Chiplet芯粒等主流高精器件的测试需求；在产业端，有效补齐国产测试硬件精度不足、生态不完善的短板，加速ATE测试设备全链条国产化替代进程。业内人士分析，人工智能与虚拟制造的双向融合，是半导体测试产业从“硬件驱动”向“数智驱动”转型的主要标志。过去国产ATE产业的竞争聚焦于硬件参数比拼，而全新融合模式开启了“硬件+算法+仿真+数据”的多维竞争新阶段。当前，国内测试设备企业持续深耕该赛道，不断优化虚拟仿真场景精度、迭代AI智能测试算法，持续提升国产ATE测试板卡的综合性能，逐步实现从“国产替代”向“国产超越”的跨越。展望未来，随着数字孪生、生成式AI、虚拟制造技术的持续迭代，半导体测试智能化、虚拟化、数字化将成为行业主流趋势。国产ATE测试板卡将持续依托AI与虚拟制造的双向赋能，持续攻克高精测试技术瓶颈。 SIR测试系统研发