内蒙古WGP技术

高精度 WGP 依托标准半导体 Fab 工厂完整制程搭建生产体系，整合清洗、镀膜、纳米压印、刻蚀、表面修饰多道工序协同管控，减少人工操作带来的图形误差。整片基底之上栅格阵列排布均匀，光束穿过元件任意区域时偏振调控效果统一，不存在局部性能差异。成品可适配各类矢量光学测试设备，在偏振态标定、微弱目标成像、光通讯信号滤波等场景投入使用。技术团队可结合客户专属光路方案调整栅格排布形式，基底材质、元件尺寸均可按需定制，出厂配套完整光学检测报告，适配高校实验室、光学仪器制造企业、精密检测设备厂商长期采购。该元件在太赫兹波段可采用金属或掺杂半导体线栅，实现偏振态的灵活调控。内蒙古WGP技术

深度 200nm  WGP 优化栅格刻蚀深度标准，调整光束与金属栅层之间的交互作用路径，提升偏振光束分离后的纯净程度，缓解杂散光对成像、光信号采集带来的干扰。刻蚀工序采用分步加工模式，搭配实时形貌监控手段，保障整片基底栅格深度保持统一，基底与栅层过渡位置平滑，不会出现阶梯缺陷增加光路损耗。产品适配高灵敏度光谱采集设备、微弱生物荧光检测光路、红外偏振成像系统，可长期稳定运行在低光强信号采集工况下。加工全程管控制程应力，规避栅格结构形变问题，出厂经过多维度光学校验，适配精密检测类仪器装配使用。青海刻蚀WGP研发该器件在自适应光学系统中作为偏振基准源，用于校准波前传感器的偏振响应。

线栅偏振 WGP 依托亚波长金属栅条阵列完成偏振光束筛选，平行排布的栅条会对不同电场方向光束形成差异化传输路径，同时实现起偏与检偏两类功能。加工环节通过纳米压印工艺复刻连续均匀栅格，搭配金属沉积工艺形成导电栅层，可适配可见光至红外区间各类光束调控工作。元件整体轻薄，便于各类微型光学模组集成，适配 AR 显示模组、消费电子成像镜头、光通讯无源光路，还能与其他微纳光学器件相互组合搭建小型化光路系统。产线可调整金属栅层配比，平衡透射效率与结构耐久度，同步配套表面防护镀膜工序，延长元件日常使用时长。

刻蚀工艺是将光刻或纳米压印定义的平面图形转化为具有特定深宽比金属线栅结构的关键环节。在WGP制造中，刻蚀技术用于在基底表面的金属薄膜上精确去除材料，形成平行排列的纳米级线栅图案。这一过程需要精确控制刻蚀的方向性与均匀性，以确保线栅的侧壁垂直、边缘整齐，从而获得优异的偏振性能。江苏优众微纳半导体科技有限公司拥有覆盖干法刻蚀与湿法刻蚀的工艺平台，可根据不同金属材料和精度要求选择合适的刻蚀方案。干法刻蚀（如反应离子刻蚀）因其良好的各向异性，能够在金属薄膜上制备出高保真度的线栅结构，是制造高性能WGP的常用工艺路线。线栅偏振片的纳米线栅结构可通过双光束干涉曝光结合金属沉积工艺批量制备。

制造铝线栅偏振片涉及从金属薄膜沉积到精密图形化的完整流程。首先，在清洗后的透明基底（如石英或玻璃）上通过气相沉积等方法制备一层均匀的铝薄膜。随后，利用光刻或纳米压印技术在铝膜表面定义出纳米级周期的线栅图案。通过刻蚀工艺将图案转移到铝膜中，形成所需的金属线栅结构。江苏优众微纳半导体科技有限公司拥有涵盖镀膜、光刻、纳米压印、刻蚀的完整半导体工艺线。在铝线栅的刻蚀过程中，需要选择对铝和基底材料具有选择性的刻蚀配方，以保护基底并保证线栅的侧壁形貌，这对终端器件的偏振性能有影响。该元件的消光比随波长偏离设计值而缓慢下降，在宽波段应用中需优化设计。青海刻蚀WGP研发

该器件作为偏振分束器，在透射光路中输出P偏振光，在反射光路中输出S偏振光。内蒙古WGP技术

线栅偏振片的性能，主要由其消光比和透射率两项指标来评估。消光比反映了器件对偏振方向平行于线栅的光（被抑制）与垂直于线栅的光（被透射）的区分能力，是衡量偏振纯度的关键参数。在理想情况下，通过优化线栅的周期、高度和材料，WGP能够在较宽的波段范围内实现较高的消光比。江苏优众微纳半导体科技有限公司的产品设计可针对特定波段进行优化，以满足不同应用场景的需求。WGP的宽带特性使其在需要覆盖多个波长范围的系统中具有优势，避免了为不同波长更换偏振元件的麻烦。内蒙古WGP技术

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