实验室烧结金胶以客为尊

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得 AuRoFUSE™成为 SiC 和 GaN 功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G 基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。先进的烧结金胶，降低能耗，应用于 LED 封装。实验室烧结金胶以客为尊

在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过300℃的情形。如果使用金-锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用"AuRoFUSE™"接合，即使在300℃高温下也能保持稳定的接合性能。这一高温稳定性特性使得AuRoFUSE™成为SiC和GaN功率器件封装的理想选择。随着新能源汽车、5G基站、工业自动化等领域对高效率功率器件需求的快速增长，能够在高温下稳定工作的封装材料变得越来越重要。。。什么是烧结金胶电子烧结金胶高效的，应用于 LED 封装，无卤素配方。

TANAKA AuRoFUSE™在传感器和 MEMS（微机电系统）领域的应用展现了该技术在精密制造领域的巨大潜力。产品在 MEMS 等气密封装应用中表现出色，这主要得益于其独特的密封性能和热压工艺特性。在MEMS 气密封装应用中，AuRoFUSE™技术具有独特的优势。"AuRoFUSE™" 膏材所形成的密封外框，经热压（200℃、100MPa）使金粒子烧结体变形后，组织变得更加精密，从而实现高真空气密封装，氦气泄漏率可达 1.0×10^-13 Pa・m³/s。这一极高的密封性能对于需要高真空环境的 MEMS 器件至关重要。

TANAKA AuRoFUSE™在功率器件领域的应用具有重要的战略意义，特别是在下一代功率半导体技术的发展中扮演着关键角色。产品可作为光电半导体（LED 和 LD）、功率半导体、IC 用的芯片贴装材料，展现出了大方面的适用性。在第三代半导体器件应用中，AuRoFUSE™技术具有不可替代的优势。使用碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）的次世代功率半导体，操作温度有超过 300℃的情形。如果使用金 - 锡类焊料接合，材料将会熔融，但使用 "AuRoFUSE™" 接合，即使在 300℃高温下也能保持稳定的接合性能。烧结金胶独特的，粒径分布均匀，用于电子封装。

在热学性能方面，产品表现尤为突出。标准膏材的热导率大于 150W/m・K，预制件的热导率更是高达 200W/m・K。这种优异的热导率特性使得 AuRoFUSE™在需要高效散热的功率器件和 LED 应用中具有不可替代的优势。在机械性能方面，产品展现出了良好的柔韧性和强度平衡。标准膏材的杨氏模量为 9.5GPa，剪切强度为 30MPa；预制件的杨氏模量为 57GPa，剪切强度大于 30MPa。这种适中的机械性能既保证了良好的应力缓冲能力，又确保了足够的连接强度。产品的化学稳定性是其长期可靠性的重要保障。由于主要成分是具有高度化学稳定性的金，AuRoFUSE™预制件在贴装后也具有较好的可靠性。可靠的烧结金胶，用于 MEMS 气密封装，具备高纯度金。试验烧结金胶用途

烧结金胶先进的，在功率器件中使用，改善热导性。实验室烧结金胶以客为尊

TANAKA 烧结金胶技术的重要在于其独特的亚微米级金粒子低温烧结特性，通过精确控制金粒子的粒径和烧结工艺，实现了在 200℃低温条件下的金 - 金键合，同时保持了优异的导电性和热导性。与传统的高温焊接和有机粘结剂相比，这一技术不*大幅降低了能耗和工艺复杂度，还作用提升了器件的可靠性和稳定性。作为拥有 140 年历史的贵金属材料行业人员，田中贵金属工业株式会社（TANAKA）凭借其在 AuRoFUSE™系列低温烧结金胶技术上的突破性创新，为电子封装行业带来了前所未有的技术变革。实验室烧结金胶以客为尊