GEN3测试系统按需定制

    车规级MEMS传感器包括用于ESP车身稳定系统的高g加速度计、发动机歧管压力传感器等，需满足AEC-Q100认证。杭州国磊（Guolei）支持点：支持-40℃~125℃环境应力测试（通过GPIB/TTL对接温箱）；高可靠性测试流程（如HAST、HTOL前后的参数对比）；数据自动记录为STDF格式，便于车厂追溯与良率分析；每引脚PPMU检测早期失效（如漏电流异常）。生物医疗MEMS如植入式压力传感器、微流控芯片控制器，对低功耗与长期稳定性要求极高。杭州国磊（Guolei）支持点：nA级静态电流测量（PPMU）；**噪声激励与采集，避免干扰生物信号；支持长期老化测试中的周期性参数回读。杭州国磊（Guolei）SoC测试系统不直接测试MEMS的机械或物理特性（如谐振频率、Q值、位移等），但***覆盖MEMS产品中不可或缺的电子控制与信号处理部分——即配套ASIC/SoC的功能、性能与可靠性验证。在消费电子、汽车电子、工业物联网和新兴智能硬件领域，杭州国磊（Guolei）GT600已成为国产MEMS厂商实现高精度、高效率、低成本、自主可控测试的重要平台，有力支撑中国MEMS产业链从“制造”向“智造”升级。 国磊GT600SoC测试机支持高达2048个数字通道，满足HBM接口千级I/O引脚的并行测试需求。GEN3测试系统按需定制

5G/6G通信芯片的“时序显微镜” 5G/6G基站与终端芯片对信号时序精度要求极高，微小抖动即可导致通信中断。杭州国磊GT600配备高精度TMU（时间测量单元），分辨率高达10ps（0.01纳秒），相当于光在3毫米内传播的时间，能精细捕捉高速信号边沿的微小偏移。这一能力对于验证基带芯片、射频前端、AD/DA转换器的时序一致性至关重要。杭州国磊GT600还可通过可选AWG板卡生成高保真模拟信号，测试芯片在复杂调制模式下的响应性能。其400MHz测试速率与100ps边沿精度，确保能覆盖PCIe、USB、MIPI等高速接口的协议测试需求。在通信技术快速迭代的背景下，杭州国磊GT600以“皮秒级”测量能力，为国产通信芯片的性能与稳定性提供精细验证，助力中国在6G赛道抢占先机。国产绝缘电阻测试系统精选厂家国磊GT600SoC测试机可选配GT-TMUHA04板卡，提供10ps时间分辨率与0.1%测量精度，用于HBM接口时序对齐测试。

数据中心芯片的“能效裁判” 在“双碳”目标下，数据中心能耗成为焦点，芯片能效比（Performance per Watt）成为**指标。杭州国磊GT600通过PPMU精确测量AI加速芯片、服务器CPU的静态与动态功耗，结合FVMI（强制电压测电流）模式，绘制完整的功耗-性能曲线，帮助设计团队优化电压频率调节（DVFS）策略。其FIMV模式还可检测芯片在高负载下的电压跌落，防止因供电不稳导致死机。杭州国磊GT600支持长时间稳定性测试，模拟数据中心7x24小时运行场景，筛选出“耐力型”芯片。512站点并行测试大幅降低单颗芯片测试时间与成本，适配万片级量产需求。杭州国磊GT600不仅是性能的验证者，更是能效的“精算师”，助力国产芯片在绿色计算时代赢得市场。

在全球半导体测试设备长期被美日巨头垄断的背景下，杭州国磊推出的GT600 SoC测试机标志着中国在**数字测试领域实现关键突破。该设备支持高达400 MHz的测试速率和**多2048个数字通道，足以覆盖当前主流AI芯片、高性能计算SoC及车规级芯片的验证需求。其模块化架构不仅提升了测试灵活性，还***降低了客户部署成本。更重要的是，GT600实现了从硬件到软件的全栈自主可控，有效规避了“卡脖子”风险。在中美科技竞争加剧、国产芯片加速落地的大环境下，GT600不仅是一台测试设备，更是保障中国半导体产业链安全的战略支点，为国内设计公司提供了可信赖、高效率、低成本的本土化验证平台。国磊GT600每通道集成PPMU，支持HBM相关I/O引脚的漏电流（Leakage）、VIH/VIL、VOH/VOL等DC参数测量。

环境应力测试兼容性，部分工业或车规级MEMS需在高低温、高湿等环境下工作。国磊（Guolei）GT600支持与温控探针台/分选机联动，通过GPIB/TTL接口实现自动化环境应力筛选（ESS）。其小型化、低功耗设计也便于集成到温箱内部，确保在-40℃~125℃范围内稳定运行，满足AEC-Q100等车规认证要求。国产替代保障MEMS产业链安全 中国是全球比较大的MEMS消费市场，但**MEMS芯片及测试设备长期依赖进口。国磊（Guolei）GT600作为国产高性能ATE，已在部分国内MEMS厂商中部署，用于替代Teradyne J750或Advantest T2000等平台。这不仅降低采购与维护成本，更避免因国际供应链波动影响产能，助力构建“MEMS设计—制造—封装—测试”全链条自主可控生态。虽然国磊SoC测试机不直接测试MEMS的机械结构（如谐振频率、Q值等需**激光多普勒或阻抗分析仪），但它精细覆盖了MEMS产品中占比70%以上的电子功能测试环节。随着MEMS向智能化、集成化、高精度方向发展，其配套SoC/ASIC的复杂度将持续提升，对测试设备的要求也将水涨船高。国磊（Guolei）GT600凭借高精度、高灵活性与国产化优势，正成为支撑中国MEMS产业高质量发展的关键测试基础设施。国磊GT600SoC测试机通过PPMU测量芯片在不同电源域下的静态电流，精度达nA级，适用于低功耗模式验证。杭州国磊CAF测试系统厂商

国磊GT600SoC测试机高密度集成设计降低系统体积与功耗，适配高通道数HBM测试的紧凑型测试台架部署。GEN3测试系统按需定制

高速数字接口验证保障系统集成，**MEMSIMU（如用于AR/VR或自动驾驶）常集成SPI/QSPI接口，速率可达50MHz以上。国磊（Guolei）GT600支持400MHz测试速率和100ps边沿精度，不仅能验证数字协议合规性，还可进行眼图分析、抖动测试和建立/保持时间检查，确保MEMS模块在高速数据交互中不失效，避免因接口时序问题导致系统崩溃。并行测试提升MEMS量产效率 消费级MEMS芯片（如手机中的六轴传感器）年出货量达数亿颗，对测试成本极其敏感。国磊（Guolei）GT600支持比较高512 Sites并行测试，可在单次测试中同时验证数百颗MEMS-ASIC芯片，大幅降低单颗测试时间与成本。结合其向量存储深度（比较高128M）和ALPG（自动逻辑图形生成）功能，可高效覆盖复杂校准算法（如六点温度补偿）的测试流程。GEN3测试系统按需定制