漳州非接触式红外高温计使用方法

STRONG 系列双色红外测温仪在环境适应性上表现出色，不带水冷时使用温度范围 - 30℃~+65℃，带水冷扩展至 - 30℃~+120℃，可适配严寒地区、高温车间等极端温度环境。防护等级达 IP65，机芯采用 304 不锈钢材质，密封性能优良，有效防尘防水，配合 12 芯高温屏蔽电缆与全密封插头，防止水汽、粉尘侵入内部电路，延长设备使用寿命。针对多尘、高湿场景，配备吹扫装置接口，吹扫压力 0.1MPa，流量 6L/min，形成气幕保护镜头，减少污染导致的测量偏差；镜头脏检测功能（2C Warning）可设定阈值（5%~90%，默认 30%），当信号能量低于阈值时，PNP 输出 DC24V 报警，提醒及时清洁。抗电磁干扰设计突出，内置 EMI 滤波器，可抗 2500VDC 脉冲群干扰，在中频炉、高频炉等强电磁环境中仍能稳定工作。感应加热工艺，红外测温仪实时调节加热参数。漳州非接触式红外高温计使用方法

距离系数（D:S，即测量距离与目标光斑直径的比值）是红外测温仪安装与选型的关键参数，直接影响测量精度 —— 若安装距离不当，目标无法覆盖光斑或光斑过大导致背景辐射干扰，都会造成数据偏差。常州思捷的全系列红外测温仪（STRONG、EX-SMART、MARS）覆盖 30:1~200:1 的距离系数范围，用户需根据目标大小与安装场景，通过科学计算确定合适的安装距离。距离系数的计算逻辑为：安装距离 D = 距离系数（D:S）× 目标直径 S。例如，某钢铁厂需测量直径 10mm 的线材温度，选用 STRONG-SR 系列（距离系数 100:1），则安装距离 D=100×10mm=1000mm（1 米），此时光斑直径恰好与线材直径匹配，能准确测量线材温度，避免背景（如厂房墙体）辐射干扰。若安装距离超过 1 米，光斑直径会大于 10mm，导致测量值包含背景温度，数据偏低；若距离过近，光斑直径小于 10mm，只能测量线材局部，无法反映整体温度。漳州非接触式红外高温计使用方法STRONG-GR 系列比色测温仪采用 InGaAs/InGaAs（叠层铟镓砷）探测器。

响应时间是红外测温仪捕捉动态温度变化的关键指标，指设备从接收温度信号到显示稳定读数的时间，思捷光电产品覆盖1ms至99.99s的可调范围，适配不同场景需求。快速响应机型（1~5ms）如EX-SMART系列，适用于激光加热、高频感应加热等温度骤变场景，能瞬间捕捉峰值温度。中速响应（10~100ms）的MARS系列，适配金属轧制、玻璃成型等动态场景，平衡响应速度与数据稳定性。慢速响应（1~99.99s）则适用于稳定测温场景，如热处理保温阶段，通过平均值模式平滑波动。用户可根据被测目标的温度变化速率手动调整，例如监测快速移动的线材选5ms，监测静态炉温选1s，确保数据既及时又可靠。

光伏单晶硅生产中，铸锭、长晶等环节的温度控制直接影响硅料纯度与成锭率，思捷红外测温仪凭借准确性能成为该领域的关键设备。以 STRONG-SR 系列为例，其测温范围 600℃~3200℃，能覆盖单晶硅生产全流程的温度需求，搭载 Si/Si 叠层硅探测器，测量精度 ±0.5% T，分辨率 0.1℃，可准确监测炉内温度变化。在单晶硅铸锭炉中，双色测温模式能有效抵御炉内硅蒸汽、灰尘的干扰，即使信号衰减 95% 仍能保持测温准确，避免传统测温仪因污染导致的精度下降；长晶炉内，产品距离系数可达达 200:1，可调焦镜头能准确锁定晶体生长区域，响应时间快至 5ms，实时捕捉温度动态，确保长晶工艺温度曲线稳定。此外，产品支持 RS485 通讯与模拟量输出，可与铸锭炉、长晶炉控制系统无缝对接，实现自动化温控；PID 恒温控制与全量程温度补偿技术，避免环境温度波动对测量精度的影响，为光伏企业提升单晶硅生产效率与产品质量提供有力保障。手动可调焦镜头，使红外测温仪可灵活调整测量范围。

进入二次加热炉环节，钢坯需加热至 1000℃左右的轧制温度，此时 MARS-G 系列单色红外测温仪（300~2500℃）更具性价比。该环节钢坯体积大、表面状态稳定，单色仪的平均温度测量能力可满足需求，且其响应时间 5ms 可调，能实时反馈加热炉内温度波动，帮助操作人员调整燃料供给，避免钢坯过烧或加热不足。相较于传统热电偶测温，思捷红外测温仪无需接触高温钢坯，避免了热电偶易损耗、更换频繁的问题，同时实现实时连续监测 —— 传统热电偶响应慢（通常秒级），难以捕捉铸坯瞬时温度变化，而思捷设备可达5ms 响应，能及时发现温度异常并触发报警。此外，设备支持 RS485 通讯，可将温度数据上传至中控系统，实现连铸过程的自动化闭环控制，为钢铁企业提升产品质量、降低能耗提供关键数据支撑。感应加热过程，红外测温仪实时反馈温度以调节功率。漳州非接触式红外高温计使用方法

STRONG 系列测温精度 0.5%，重复精度 ±2℃。漳州非接触式红外高温计使用方法

第三代半导体长晶过程对温度精度要求极高，微小的温度波动（±2℃以内）就可能导致晶体缺陷，影响半导体性能。常州思捷的 STRONG 系列与 EX-SMART 系列红外测温仪，凭借高精度、抗干扰、适配高温真空环境的特点，成为半导体长晶炉测温的技术支撑。长晶炉的测温需求集中在 “准确控温” 与 “环境适配” 两大方面。以碳化硅（SiC）长晶为例，长晶温度需稳定在 2300℃左右，且炉内处于高温真空环境，传统接触式测温设备无法耐受。思捷的 STRONG-SR-7026 型号（700~2600℃）恰好适配这一需求：其采用叠层硅探测器，测量精度 ±0.5% T，分辨率 0.1℃，能捕捉温度的微小波动；双色模式可抵御炉内微量粉尘（如石墨粉尘）的干扰，即使光学镜头有轻微污染，仍能保持测温稳定；带水冷版本可在炉体周边 200℃的高温环境下工作，确保设备自身稳定运行。漳州非接触式红外高温计使用方法