广州SIR测试系统定制

    无线充电技术在手机、耳机、电动车领域加速渗透，无线充电芯片集成逆变控制、谐振驱动、异物检测FOD、通讯解调，测试涉及谐振频率、传输效率、异物检测灵敏度、热稳定性等。很多无线充电芯片企业面临测试系统搭建难题：无线充电效率测试需要发射端与接收端协同测试，系统搭建复杂；异物检测FOD测试需要精细模拟异物参数，通用ATE缺少支持；谐振频率与功率传输测试需要高频信号测量，普通设备采样率不足。科普，无线充电芯片测试主要在于"谐振频率匹配+传输效率+FOD异物检测"，无线充电通过电磁谐振实现能量传输，发射与接收端谐振频率匹配度直接决定传输效率，而异物检测是安全关键功能，必须能精细识别金属异物并及时停止充电，测试时需要模拟不同材质、不同位置异物，验证检测灵敏度与响应速度。杭州国磊半导体G97-X300工程中批量ATE，搭载GI-WRTHF04高速AWG生成高频谐振驱动信号，GI-SMUHP01±100V高压SMU完成功率传输效率测试，GI-DMUMS32数字板卡完成FOD逻辑与通讯解调测试。系统支持联动无线充电测试治具，完成发射端与接收端协同效率测试，支持异物模拟与FOD灵敏度验证。更换不同板卡，即可适配手机无线充电、耳机无线充电、车载无线充电等多品类无线充电芯片。 长三角芯片产业集群内，国磊就近服务 Fabless、封测企业，快速交付设备并提供现场技术支持。广州SIR测试系统定制

    PXIe模块化测试平台主要优势，模块化灵活适配，适配异构集成测试：可按需搭配数字、模拟、电源、高速、射频板卡，完美匹配Chiplet多Die、SiP混合信号、异构集成的复杂测试需求，解决传统ATE功能固化、无法适配多品类芯粒测试的痛点。高速同步与精密测量能力：支持ps级时间测量、nA级精密电流测量，可实现多通道同步采集，满足UCIe高速互联、微凸点阻抗检测、层间信号完整性、电源完整性（SI/PI）测试需求，适配。软件定义，可定制化程度较高：支持自主开发测试流程、故障诊断算法、热-电耦合测试逻辑，可对接自研DFT、BIST测试架构，适配先进封测迭代快、测试方案定制化强的行业特点，研发场景适配度碾压传统固定ATE设备。通用性强、生态成熟：全球封测、设计企业通用标准平台，兼容IEEE1687、UCIe等主流测试协议，配套仿真、建模工具完善，是先进封装研发验证的主流选型。国产自主PXIe板卡+整机ATE，杭州国磊半导体设备有限公司，性能对标NI主流型号，满足先进封测量产级精度，兼顾研发与量产，适配国内封测产业国产化替代需求，NIPXIe测试平台是Chiplet/先进封装研发测试的行业，胜在灵活、通用、生态成熟；但受限于成本与量产效率，难以大规模普及量产。 杭州高性能绝缘电阻测试设备G97 芯片测试系统执行 FT 成品终检，识别封装虚焊、引线断裂，区分裸芯与封装失效类型。

    类脑计算与神经形态芯片是后摩尔时代重要探索方向，神经形态芯片模拟生物神经元与突触工作，采用脉冲神经网络SNN架构，测试涉及脉冲时序依赖可塑性STDP、神经元放电特性、突触权重、大规模网络功能等。很多神经形态芯片企业面临测试方法缺失难题：神经形态芯片采用异步脉冲驱动，与传统同步数字电路测试方法完全不同，通用ATE缺少脉冲神经网络测试支持；STDP等突触可塑性测试需要精确控制脉冲时序差，普通设备时序精度不足；大规模神经元网络功能测试需要复杂脉冲输入模式，设备向量生成能力不足。科普，神经形态芯片测试主要在于"脉冲时序精确控制+突触可塑性测量+网络级功能验证"，神经形态芯片通过脉冲时序传递信息，突触权重根据脉冲前后时序差进行调整（STDP），时序差通常在毫秒级甚至微秒级，设备必须具备精确脉冲时序控制能力才能测试STDP特性，而网络级功能测试则需要生成符合生物神经元放电模式的复杂脉冲序列。杭州国磊半导体G97-X300工程中批量ATE，搭载GI-WRTHF04高速AWG生成精确时序的脉冲输入序列，GI-TMUHA04高精度时间板卡皮秒级分辨率完成脉冲时序测量与STDP特性测试，GI-DMUMS32数字板卡完成神经元放电输出采集与网络功能验证。

    USB4、、Thunderbolt等高速接口持续升级，接口芯片如Redriver中继器、ReDriver驱动器、信号开关需要在高速信号条件下测试信号完整性，对设备高速通道能力与时序精度要求较高。很多接口芯片企业面临高速测试瓶颈：普通数字IO板卡速率不足，无法生成和接收高速差分信号；进口高速接口测试设备价格昂贵，交付周期长；信号完整性测试如眼图、抖动、误码率需要测试功能，通用ATE缺少支持。科普，高速接口芯片测试主要在于"高速差分信号生成与信号完整性分析"，，USB4达40Gbps，设备必须具备足够高的通道速率与时序精度才能生成和分析这些信号，眼图、抖动、误码率等信号完整性指标直接决定接口芯片传输质量，必须使用高速板卡测试。杭州国磊半导体GI-RIOMS3264路高速LVDS数字IO测试板卡，纳秒级时序控制，高速差分信号收发，板卡内置阻抗匹配电路，可精细生成与接收高速差分信号，完成信号完整性基础测试。搭载于G97-X300平台，搭配GI-WRTHF04高速AWG生成高速激励信号，GI-TMUHA04高精度时间板卡完成抖动与时序参数测量。系统支持通过标准化接口联动高速示波器与误码仪，完成眼图、误码率等高级信号完整性测试，数据统一管理。更换不同板卡。 国磊积极参与各大半导体行业展会，对外展示自研 ATE 与板卡方案，拓展全国半导体客户合作。

    工业自动化与新能源汽车推动数字隔离芯片需求爆发，隔离芯片需要在高压隔离条件下传输数字信号，隔离耐压、隔离电容、传输延迟、共模瞬态抗扰度CMTI是主要测试项。很多隔离芯片企业面临高压测试安全问题：隔离耐压测试需要施加数千伏高压，普通设备耐压不足存在安全风险；CMTI测试需要高速共模瞬态干扰模拟，通用ATE缺少功能；隔离电容测试需要高精度LCR测量，普通设备不支持。科普，数字隔离芯片测试主要在于"高压隔离安全性+高速CMTI抗扰度"，隔离耐压测试必须在保障设备与人员安全前提下进行，硬件级过压保护与绝缘设计至关重要，而CMTI是隔离芯片**重要动态指标，**芯片在高速共模干扰下维持数据传输能力，需要高速干扰注入电路测试。杭州国磊半导体G97-X600量产ATE平台，支持选配GI-SMUHV011000V高压浮动SMU，硬件集成过压过流切断保护机制，可安全完成隔离耐压与漏电流测试；GI-RIOMS32高速LVDS板卡完成高速数字信号收发与传输延迟测试；系统支持联动高压源与CMTI测试模块，完成高压隔离与共模瞬态抗扰度全套测试。更换不同板卡，即可适配数字隔离器、隔离ADC、隔离驱动、隔离运放等多品类隔离器件，帮助工业与汽车电子企业建立安全可靠的高压隔离测试方案。 系统测量精度对标国际 ATE，nA 级电流、mV 级电压、皮秒级时间测量，满足高精芯片测试标准。杭州国磊高阻测试系统哪家好

公司坚持板卡自主研发生产，主要元器件可控，保障设备交付周期，规避海外供应链断供风险。广州SIR测试系统定制

    MRAM磁随机存储器以非易失、高速、无限擦写寿命成为汽车电子与工业控制热门存储方案，MRAM测试涉及磁性写入、电性读取、抗磁场干扰、高低温稳定性等，属于磁电混合测试场景。很多MRAM企业面临磁电协同测试难题：磁性写入需要磁场线圈或磁头，通用ATE缺少磁场发生支持；电性读取需要高精度小信号测量，普通设备底噪过高；抗磁场干扰测试需要外部磁场环境模拟，设备集成度不够。科普，MRAM磁存储测试主要在于"磁场写入与电性读取协同+抗磁场干扰验证"，MRAM通过磁场改变磁隧道结自由层磁化方向实现数据写入，通过测量隧道磁电阻TMR实现电性读取，测试时需要精确控制磁场写入条件并同步测量电性读取结果，同时MRAM应用于汽车电子等强电磁环境，必须验证芯片在外部磁场干扰下的数据保持能力。杭州国磊半导体G97-X300工程中批量ATE，搭载GI-SMUBV04低压精密SMU完成TMR电性读取高精度测量，GI-WRTHF04高速AWG生成写入控制信号，GI-DMUMS32数字板卡完成存储功能与逻辑测试。系统支持联动磁场线圈、磁场屏蔽箱与高低温箱，完成磁场写入、电性读取、抗磁场干扰、高低温稳定性全套测试。更换不同板卡，即可适配STT-MRAM、SOT-MRAM、ToggleMRAM等多品类磁存储器件。 广州SIR测试系统定制