SIR测试系统参考价

    复杂的多工作模式、多状态测试，验证的要求使得测试程序复杂，测试向量数量庞大，测试时间也较长。高电压、大电流的功率测试及其安全性。高电压、大电流的功率测试及其安全性。过往在这一类芯片的测试上，受限于ATE测试机台的性能指标，又要求既能覆盖到数字控制上修调的复杂需求还要满足模拟信号的功耗和精度的要求，往往在选型时不得不计划两道测试流程，将数字部分和模拟部分分开执行，从而对测试程序的开发与测试成本控制都造成了一定的障碍。如果有一个测试平台能够兼容数字与模拟信号测试，就成为了一个对于该类产品更具吸引力的ATE解决方案。在**近的一个客户项目中，通过深入理解客户的测试场景和需求，国磊工程团队交出了一份令人满意的答卷。在和国磊启动该合作项目之前，客户原定的ATE测试方案包含了2道测试流程：被测芯片先使用一个逻辑ATE机**成4site同测，测试时间；然后再使用一个模拟ATE机台进行4site同测，测试时间。这样，2道测试流程的总合测试时间达到了19s。使用国磊G97机台，在保持4site同测的基础上，团队将2道测试流程合并为1道，总和测试时间11s，测试时间优化达。使用这套新的测试解决方案，不*极大地提高了测试效率，且能***简化生产步骤。 国磊 ATE 可分段采集芯片待机、推理、训练多阶段动态功耗曲线，量化分析多级电源域，优化端侧设备续航性能。SIR测试系统参考价

    车规芯片（AutomotiveGradeChip）是智能汽车时代的数字引擎与安全命门。在当今汽车电动化、智能化、网联化、共享化的浪潮下，其战略地位早已从传统的汽车电子零部件，跃升为定义汽车性能、决定产业安全、重塑竞争格局的**战略资源。一辆传统燃油车约需300-500颗芯片，而智能电动车的芯片需求激增至3000-5000颗，是传统车的10倍，因而单车芯片成本也相应提升了数倍。从动力控制、智能座舱到自动驾驶，芯片决定了车辆的智商与安全。之前，全球汽车芯片市场长期被英飞凌、恩智浦、德州仪器等国际巨头垄断，中国超90%的车载芯片依赖进口。近年来，从政策引导到市场驱动，国产芯片进入规模化应用阶段，国产替代不断加速。目前自主品牌车规芯片国产化率提升至15%左右，部分车企突破40%，累计装车量突破2000万颗。未来汽车的定义引导着技术的变革。L3级以上自动驾驶需要处理多传感器融合的海量数据，驱动着汽车电子电气架构从“功能域”向“**计算+区域控制”演进来完成整车控制。 常州导电阳极丝测试系统研发公司国磊G97-ADC 动态指标：SNR 信噪比、THD 总谐波失真、SFDR 无杂散动态范围、ENOB 有效位数。

    智能手表、AI眼镜等便携穿戴产品依靠小容量电池供电，整机续航表现完全受制于SoC芯片功耗水准。一旦芯片存在异常静态漏电，就会造成产品耗电飙升、频繁充电，严重影响用户使用体验。杭州国磊GT600搭载PPMU精密测量单元，具备纳安级Iddq静态电流检测实力，可捕捉量级极小的微观漏电，精细定位芯片内部隐蔽漏电路径。依托FVMI加压测流测试模式，设备能够在多档工作电压下实测功耗表现，核验电源门控、休眠启停架构的运行有效性，从源头筛除漏电超标芯片，保障量产产品天生低功耗。除此之外，GT600兼容混合信号全项测试，完成传感数据融合、语音待机唤醒等特色低功耗功能验证。面对穿戴行业轻薄化、长效续航的发展趋势，GT600凭借高精度微功耗检测优势，从芯片端夯实国产穿戴产品续航根基，优化终端用户使用体验。

    随着AI大模型、云端算力、边缘智能产业高速爆发，AI芯片形成“感知模拟芯片+电源管理芯片+混合信号SoC+堆叠算力芯片”的完整产业链，国磊半导体ATE全系列设备构建了行业***的全链路AI芯片测试矩阵，通用覆盖AI产业链各类主要芯片的测试需求。从前端AI感知端的高精度ADC/DAC信号链芯片、终端低功耗PMIC电源芯片，到中端数模混合AISoC、边缘AI主控芯片，再到云端大算力Chiplet、HBM堆叠算力芯片，国磊全系列ATE均可提供专业化、高精度、量产级的测试方案。设备打通了AI芯片研发验证、晶圆测试、成品量产、可靠性测试全流程，解决了传统测试设备品类单一、无法适配AI全产业链测试的痛点。通过统一的软件平台与硬件架构，实现不同品类AI芯片测试方案快速切换，大幅降低企业设备采购、运维、培训成本。多角度支撑国产AI芯片从技术研发、性能迭代到规模化量产的全流程发展，助力国产AI产业链自主可控、高质量升级。 面向 PMIC、LDO、DC-DC 电源管理模拟芯片，国磊 G97 系列多通道同步源载单元可动态模拟算力负载波动。

    国磊GT600ATE具备强的硬件扩展能力，比较高可扩展2048路高速数字管脚，搭配数百路高精度模拟激励与采集资源，构建了大吞吐量、高并行的混合信号SoC量产测试体系，专为多媒体处理、AI视觉、智能控制等复杂数模混合SoC大批量量产场景打造。设备支持多Site并行同步测试，可同时完成数十至上百颗混合信号芯片的数字逻辑、模拟性能、接口时序、电源功耗等全参数测试，相较于传统单路测试设备，量产测试效率提升数倍，大幅降低单颗芯片的测试成本，完美适配芯片企业规模化量产降本需求。同时设备搭载智能测试调度算法，可自动优化测试流程、规避通道干扰，保障多工位并行测试时的参数测量精度，杜绝并行测试带来的串扰、误差问题。兼容晶圆CP探针测试、封装成品FT测试全流程，搭配自动化产线对接模块，可实现无人值守全自动量产测试，是中高精混合信号SoC规模化量产的比较好测试方案之一。 国磊G97-X200搭载低失真高精度信号源，THD 低至 - 122dBc，TMU 时序测量精度达 80ps。珠海CAF测试系统参考价

国磊G97-ADC高精度AWG信号源，-122dB的THD确保低失真的正弦波输出，提供ACD高精度激励源。SIR测试系统参考价

    在AI大模型与高性能计算产业高速驱动下，HBM高带宽存储器技术迎来爆发式普及。HBM3、HBM3E凭借超高带宽、很低延迟的主要优势，已成为英伟达、AMD、华为等头部企业**AI芯片、GPU的标准化配置。伴随全球AI算力需求持续井喷，HBM市场规模快速扩容、供需缺口持续扩大，也推动芯片架构通用革新，但同时为半导体量产测试环节带来全新技术难题。相较于传统存储架构，搭载HBM的AI/GPU芯片具备引脚密度高、接口速率快、时序逻辑复杂、电源完整性要求严苛等特点，彻底颠覆了传统测试体系。传统测试设备难以适配高速接口信号校准、复杂时序同步、高密度引脚稳定性检测等严苛场景，无法满足**集成芯片的验证与量产需求，形成了制约**AI芯片产业化落地的“测试墙”，成为行业亟待攻克的主要短板。针对HBM时代的**测试痛点，国磊GT600SoC测试机精细适配市场需求应运而生。该设备定位**集成芯片测试场景，区别于单一HBM芯片测试设备，主要聚焦搭载HBM架构的AI、GPU**SoC芯片，通用覆盖芯片功能验证、性能校准与规模化量产测试全流程，精细解决HBM集成芯片的测试技术瓶颈。作为国产**ATE设备的目标产品，国磊GT600有效补齐了国内HBM**芯片测试领域的技术短板。 SIR测试系统参考价